[发明专利]对显示装置的劣化进行补偿的方法在审

专利信息
申请号: 202010718013.8 申请日: 2020-07-23
公开(公告)号: CN112289262A 公开(公告)日: 2021-01-29
发明(设计)人: 金京满;潘硕奎;吕相在 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: G09G3/3208 分类号: G09G3/3208;G09G3/3258;G09G3/3291;G09G3/00
代理公司: 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 代理人: 李英艳;冯志云
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 显示装置 进行 补偿 方法
【说明书】:

本公开涉及一种对显示装置的劣化进行补偿的方法,包括:感测流经连接至像素的感测线的第一感测电流,其包括用于将预定颜色的数据电压写入像素的存储电容器的编程时段;感测感测线的感测电压,其包括用于对连接至感测线的线性电容器进行充电的时段;使用从第一感测电流和感测电压估计的第二感测电流来估计有机发光二极管的阳极电极的电压;以及使用阳极电极的电压确定劣化补偿值。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年7月23日提交的第10-2019-0089098号韩国专利申请的优先权和从其产生的所有权益,该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

本公开的示例性实施例涉及对显示装置的劣化进行补偿的方法。

背景技术

有机发光二极管(“OLED”)显示器使用其亮度由电流或电压控制的OLED和驱动OLED的薄膜晶体管(“TFT”)。OLED包括形成电场的阳极层和阴极层,以及通过电场发光的有机发光材料。根据有源层的类型,TFT分为非晶硅(非晶-Si)TFT、低温多晶硅(“LTPS”)TFT和氧化物TFT。

像素由于OLED和TFT的劣化而劣化,并且像素的劣化引起像素的亮度降低。即使当恒定电压被施加到像素时,由于OLED和TFT的劣化,流经像素的电流减小,因此,像素的亮度降低。

发明内容

考虑到像素的劣化,可以在产品出厂时设置提供像素的驱动电流的电源电压,但是在这种情况下,甚至在有机发光二极管(“OLED”)和薄膜晶体管(“TFT”)劣化之前供应高于理想电压的电压,这增加了显示装置的功耗。

本公开要解决的问题是提供一种对显示装置的劣化进行补偿的方法,该方法能够在像素驱动电流不能被直接测定时对像素的劣化进行补偿。

本公开的问题不限于上述问题,并且本领域技术人员可以从下面的描述清楚地理解未描述的其他技术问题。

根据解决上述问题的本公开的对显示装置的劣化进行补偿的方法的示例性实施例包括:感测流经连接至像素的感测线的第一感测电流,其包括用于将预定颜色的数据电压写入所述像素的存储电容器的编程时段;感测所述感测线的感测电压,其包括用于对连接至所述感测线的线性电容器充电的时段;使用从所述第一感测电流和所述感测电压估计的第二感测电流来估计有机发光二极管的阳极电极的电压;以及使用所述阳极电极的所述电压确定劣化补偿值。

在示例性实施例中,所述像素可以包括:第二晶体管,所述第二晶体管包括连接至施加有所述数据电压的数据线的第一端子、连接至第一节点的第二端子、以及连接至施加有第一扫描信号的第一扫描线的第一栅极端子;第一晶体管,所述第一晶体管包括连接至施加有第一电力信号的第一电力线的第三端子、连接至第二节点的第四端子、以及连接至所述第一节点的第二栅极端子;第三晶体管,所述第三晶体管包括连接至所述感测线的第五端子、连接至所述第二节点的第六端子、以及连接至施加有第二扫描信号的第二扫描线的第三栅极端子;所述存储电容器,所述存储电容器包括连接至所述第一节点的第一电极、以及连接至所述第二节点的第二电极;和所述有机发光二极管,所述有机发光二极管包括连接至所述第二节点的所述阳极电极、以及连接至第二电力线的阴极电极,所述第二电力线施加有电平低于所述第一电力信号的电平的第二电力信号。

在示例性实施例中,所述第二晶体管可以响应于所述第一扫描线的逻辑而导通,以在所述编程时段中将所述数据电压写入所述存储电容器。

在示例性实施例中,所述数据电压可以具有通过将所述像素的阈值电压补偿数据的值与所述像素的基准电压的值相加而获得的值。

在示例性实施例中,在将所述数据电压写入所述存储电容器之后,所述第三晶体管可以响应于所述第二扫描线的逻辑而导通,以将初始化电压从所述感测线施加到所述第二节点。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010718013.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top