[发明专利]一种在等规聚丙烯纳米薄膜中调控晶型的方法有效
| 申请号： | 202010718612.X | 申请日： | 2020-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN111944183B | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 张彬;孙太成;陈静波 | 申请（专利权）人： | 郑州大学 |
| 主分类号： | C08J7/00 | 分类号： | C08J7/00;C08L23/12 |
| 代理公司： | 郑州金成知识产权事务所(普通合伙) 41121 | 代理人： | 郭增欣 |
| 地址： | 450000 河南省郑*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 聚丙烯 纳米 薄膜 调控 方法 | ||
1.一种在等规聚丙烯纳米薄膜中调控晶型的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：将等规聚丙烯纳米薄膜放置于热台上，在N2气氛保护下消除热历史后，以10℃/min的降温速率降至初始结晶温度并对薄膜施加流动后等温结晶；将得到的初始β晶型等规聚丙烯片晶通过直接升温进行部分熔融，然后再降温至等温结晶温度，最后降至室温；或者将得到的初始β晶型等规聚丙烯片晶淬冷到室温后，进一步升温进行部分熔融，然后再降温至等温结晶温度，最后降至室温；又或者将得到的初始β晶型等规聚丙烯片晶淬冷到室温后，进一步升温进行部分熔融，然后再降温至等温结晶温度，退火后降至室温；通过改变薄膜厚度、部分熔融温度、熔融升温速率、退火温度，表征β晶型或α晶型等规聚丙烯的密度与分布。
2.根据权利要求1所述的在等规聚丙烯纳米薄膜中调控β晶型的方法，其特征在于，β晶型等规聚丙烯片晶直接升温部分熔融并降温结晶过程中，随薄膜厚度由21.3nm增加至32.1nm，调控得到的β晶型密度增大。
3.根据权利要求1所述的在等规聚丙烯纳米薄膜中调控β晶型的方法，其特征在于，β晶型等规聚丙烯片晶直接升温部分熔融并降温结晶过程中，随部分熔融温度由154℃增加至157℃，调控得到的β晶型密度减小。
4.根据权利要求1所述的在等规聚丙烯纳米薄膜中调控β晶型的方法，其特征在于，β晶型等规聚丙烯片晶直接升温部分熔融并降温结晶过程中，随熔融升温速率由10℃/min降低至1℃/min，调控得到的β晶型密度增大且在初始β晶型片晶边缘位置增大尤为显著。
5.根据权利要求1所述的在等规聚丙烯纳米薄膜中调控β晶型的方法，其特征在于，β晶型等规聚丙烯片晶直接升温部分熔融并降温结晶过程中，随部分熔融保温时间由20min增加至200min，调控得到的β晶型尺寸增大。
6.根据权利要求1所述的在等规聚丙烯纳米薄膜中调控α晶型的方法，其特征在于，β晶型等规聚丙烯片晶淬冷-升温部分熔融并降温结晶过程中，随部分熔融温度由150℃增加至160℃，调控得到的α晶型密度减小。
7.根据权利要求1所述的在等规聚丙烯纳米薄膜中调控α晶型的方法，其特征在于，β晶型等规聚丙烯片晶淬冷-升温部分熔融并降温结晶过程中，随结晶温度由154℃增加至157℃，调控得到的α晶型密度与尺寸均减小。
8.根据权利要求1所述的在等规聚丙烯纳米薄膜中调控α晶型的方法，其特征在于，β晶型等规聚丙烯片晶淬冷-升温部分熔融并降温结晶过程中，随退火温度由50℃增加至170℃，调控得到的α晶型密度减小且尺寸增大。
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