[发明专利]具有垂直晶体管的存储器阵列及其形成

说明书

本申请涉及具有垂直晶体管的存储器阵列及其形成。一种装置，例如存储器阵列，可以具有耦合到位于第一层级处的第一数字线(例如，局部数字线)的存储器单元。第二层级处的第二数字线(例如，分级数字线)可以耦合到主读出放大器。第一和第二层级之间的第三层级处的电荷共享装置可以耦合到第一数字线和连接器。第三层级处的垂直晶体管可以耦合在第一数字线和连接器之间。触点可以耦合在连接器和第二数字线之间。

技术领域

本公开总体上涉及存储器设备，更具体地涉及具有垂直晶体管的存储器阵列及其形 成。

背景技术

存储器通常应用在电子系统中，例如计算机、手机、手持装置等。存储器类型多样，包含易失性和非易失性存储器。易失性存储器可以依靠电源来维护其数据，且可以包含 随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)和 同步动态随机存取存储器(SDRAM)。非易失性存储器可以通过在未加电时保留存储的数 据来提供持久数据，且可以包含NAND闪存、NOR闪存、氮化物只读存储器(NROM)、 相变存储器(例如相变随机存取存储器)、电阻存储器(例如电阻随机存取存储器)、交叉点 存储器、铁电随机存取存储器(FeRAM)等。

在一些示例中，DRAM阵列可以包含耦合到相应数字线的相应组的DRAM单元。 来自每一组的相应存储器单元可以共同耦合到相应的存取线，例如字线。在一些示例中， DRAM单元可以包含存储装置(例如，存储元件)，例如电容器，其通过存取装置(例如， 存取晶体管)耦合到数字线。可以通过耦合到存取晶体管的存取线来激活存取装置(例如， 以选择单元)。电容器可以存储对应于相应单元的数据值的电荷(例如，逻辑“1”或“0”)。

发明内容

本公开的一个方面提供一种设备，其包含垂直晶体管，其中所述设备包括：存储器单元，耦合到第一层级219处的第一数字线218-1、218-2；第二数字线220-1、220-2， 耦合到主读出放大器254的第二层级221处；电荷共享装置222-1、222-2，位于所述第 一和第二层级之间的第三层级230处，并且耦合到所述第一数字线218-1、218-2和连接 器223-1、223-2；垂直晶体管235-1、235-2，位于所述第三层级230处，并且耦合在所 述第一数字线218-1、218-2和所述连接器223-1、223-2之间；以及触点224-1、224-2， 耦合在所述连接器223-1、223-2和所述第二数字线220-1、220-2之间。

本公开的另一个方面提供一种设备，其包含垂直晶体管，其中所述设备包括：多个交替的第一和第二数字线220-1、220-2，位于第一层级221处，所述第一和第二数字线 中的每一个耦合到主读出放大器254；多个交替的第三和第四数字线218-1、218-2，位 于第二层级219处；多个交替的第一222-1和第二222-2电荷共享装置，在公共轴253 上对齐并且共同耦合到所述第二层级219处的总线225、525；多个交替的第一和第二连 接器223-1、223-2，位于所述第一和第二层级之间的第三层级226处；以及多个交替的 第一和第二触点224-1、224-2，其中：每个相应的第一连接器223-1耦合到相应的第一 电荷共享装置222-1并且选择性地耦合到相应的第三数字线218-1；每个相应的第二连 接器223-2耦合到相应的第二电荷共享装置222-2并且选择性地耦合到相应的第四数字 线218-2；每个相应的第一触点224-1耦合在相应的第一连接器223-1和相应的第一数字 线220-1之间；每个相应的第二触点224-2耦合在相应的第二连接器223-2和相应的第 二数字线220-2之间；并且所述第一和第二触点围绕所述公共轴交错排列。