[发明专利]一种单能γ装置

权利要求书

1.一种单能γ装置，其特征在于，该装置包括贮源井（1）、准直光阑（3）、多个放射源（4）、散射靶（5）、散射陷阱（6）、快门（7）和屏蔽体（8）；所述的贮源井（1）位于承重地面（2）的下方，贮源井（1）的上边沿与承重地面（2）平齐；所述的散射陷阱（6）和屏蔽体（8）依次安装于贮源井（1）内，所述的屏蔽体（8）的外侧面与贮源井（1）相接触，屏蔽体（8）的顶端面与承重地面（2）平齐；所述的屏蔽体（8）的中部具有竖直通孔，准直光阑（3）位于屏蔽体的通孔内，准直光阑（3）的外侧面与屏蔽体（8）的通孔相接触；所述准直光阑（3）的内部有一竖直通孔，准直光阑（3）的通孔连通散射陷阱（6）和γ装置的外部；所述的准直光阑（3）的竖直中线、屏蔽体（8）的竖直中线及散射陷阱（6）的竖直中线相重合；所述的散射陷阱（6）的顶面与屏蔽体（8）、准直光阑（3）的底面相接触；所述的快门（7）的底面与准直光阑（3）的顶面相接，快门（7）的中部有一竖直通孔，快门（7）通孔与准直光阑（3）通孔的中线重合、半径相同；所述的散射靶（5）位于散射陷阱（6）的竖直中线上、靠近准直光阑（3）通孔的位置；

所述散射靶（5）为铜质薄靶，所述的散射靶（5）可沿散射陷阱（6）的中线上下移动，从而改变散射角，获得不同能量的单能γ射线；

所述的放射源（4）均布在以沿散射陷阱（6）中线为轴的圆环上。

2.根据权利要求1所述的单能γ装置，其特征在于，所述的散射陷阱（6）上部为锥形结构，下部为圆柱体结构，所述的放射源（4）大致均布于散射陷阱（6）上部与下部的交接处、且靠近外侧面的位置。

3.根据权利要求1所述的单能γ装置，其特征在于，所述的准直光阑（3）的材质为钨合金，其内侧有一组“梳状”的凹槽。

4.根据权利要求1所述的单能γ装置，其特征在于，所述的快门（7）的材质为钨合金，其内侧有一组“梳状”的凹槽；所述的快门7可沿准直光阑3的顶端面做水平滑动，实现γ束流的开启和关闭。

5.根据权利要求1所述的单能γ装置，其特征在于，所述的放射源（4）为强钴-60源。

6.根据权利要求1所述的单能γ装置，其特征在于，所述的散射陷阱（6）的高度为准直光阑（3）厚度的4倍及以上。