[发明专利]氧含量检测设备的校准方法及装置在审
申请号: | 202010721862.9 | 申请日: | 2020-07-24 |
公开(公告)号: | CN111766215A | 公开(公告)日: | 2020-10-13 |
发明(设计)人: | 徐鹏 | 申请(专利权)人: | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
主分类号: | G01N21/3563 | 分类号: | G01N21/3563;G01N21/3504 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;张博 |
地址: | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 含量 检测 设备 校准 方法 装置 | ||
1.一种氧含量检测设备的校准方法,其特征在于,用于对第一测量设备进行校准,所述方法包括:
对单晶硅样品采用第二测量设备进行氧含量检测,得到第二测定结果;
利用所述第一测量设备和所述第二测量设备的相关性曲线将所述第二测定结果转换为第二预测结果;
利用所述第二预测结果对所述第一测量设备进行校准。
2.根据权利要求1所述的氧含量检测设备的校准方法,其特征在于,所述方法还包括:
建立所述第一测量设备和所述第二测量设备的相关性曲线。
3.根据权利要求2所述的氧含量检测设备的校准方法,其特征在于,所述建立所述第一测量设备和所述第二测量设备的相关性曲线包括:
选取多个不同阻值的单晶硅测试样品;
采用第一测量设备对所述多个不同阻值的单晶硅测试样品进行氧含量检测,得到多个第一测试值;
采用第二测量设备对所述多个不同阻值的单晶硅测试样品进行氧含量检测,得到多个第二测试值;
将所述多个第一测试值作为横坐标,所述多个第二测试值作为纵坐标,生成所述第一测量设备和所述第二测量设备的相关性曲线。
4.根据权利要求3所述的氧含量检测设备的校准方法,其特征在于,所述多个不同阻值的单晶硅测试样品包括:P-型硅晶圆和P型晶圆。
5.根据权利要求3所述的氧含量检测设备的校准方法,其特征在于,单晶硅测试样品的数量大于等于3。
6.根据权利要求1所述的氧含量检测设备的校准方法,其特征在于,所述第二测量设备为傅里叶红外吸收FTIR设备,所述第一测量设备为气体熔融分析GFA设备。
7.根据权利要求6所述的氧含量检测设备的校准方法,其特征在于,所述对单晶硅样品采用第二测量设备进行氧含量检测之前,所述方法还包括:
采用氧含量已知的金属标样或气体标样对所述GFA设备进行校准。
8.一种氧含量检测设备的校准装置,其特征在于,用于对第一测量设备进行校准,所述装置包括:
检测模块,用于对单晶硅样品采用第二测量设备进行氧含量检测,得到第二测定结果;
转换模块,用于利用所述第一测量设备和所述第二测量设备的相关性曲线将所述第二测定结果转换为第二预测结果;
校准模块,用于利用所述第二预测结果对所述第一测量设备进行校准。
9.根据权利要求8所述的氧含量检测设备的校准装置,其特征在于,所述装置还包括:
建立模块,用于建立所述第一测量设备和所述第二测量设备的相关性曲线。
10.根据权利要求9所述的氧含量检测设备的校准装置,其特征在于,所述建立模块包括:
选取单元,用于选取多个不同阻值的单晶硅测试样品;
第一检测单元,用于采用第一测量设备对所述多个不同阻值的单晶硅测试样品进行氧含量检测,得到多个第一测试值;
第二检测单元,用于采用第二测量设备对所述多个不同阻值的单晶硅测试样品进行氧含量检测,得到多个第二测试值;
生成单元,用于将所述多个第一测试值作为横坐标,所述多个第二测试值作为纵坐标,生成所述第一测量设备和所述第二测量设备的相关性曲线。
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