[发明专利]二硅化钼/碳化硅三维聚合物先驱体陶瓷及其制备方法有效
| 申请号： | 202010722118.0 | 申请日： | 2020-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN111848172B | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 姚荣迁;黄雯燕;郑艺浓;韩宇宸;韩浩哲;安子一;陈峰 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/58;C04B35/622 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二硅化钼 碳化硅 三维 聚合物 先驱 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
1.二硅化钼/碳化硅三维聚合物先驱体陶瓷的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
1)将先驱体PVG粉末置于石墨纸舟中在惰性气氛保护下高温裂解，即得到裂解后的SiC(rGO)p陶瓷颗粒；所述PVG粉末高温裂解的温度为1300℃，升温速率为3～5℃/min，保温时间 为25～35min；
2)将MoSi2和步骤1)所得的裂解SiC(rGO)p陶瓷颗粒和先驱体PVG粉末混合形成MoSi2/SiC(rGO)p/PVG混合物；所述MoSi2、裂解SiC(rGO)p陶瓷颗粒与先驱体PVG粉末按质量百分比为MoSi25％～20％、裂解SiC(rGO)p陶瓷颗粒55％～40％、先驱体PVG粉末40％；
3)将步骤2)所得的MoSi2/SiC(rGO)p/PVG混合物在酒精介质中进行球磨混合均匀后置于烘箱中烘干得MoSi2/SiC(rGO)p/PVG粉末；
4)将烘干后的MoSi2/SiC(rGO)p/PVG粉末装入模具中模压成型，脱模后即得到MoSi2/SiC(rGO)p/PVG素坯；所述模压成型的压力为30～50MPa，保压时间为15～25s；
5)将步骤4)所得的MoSi2/SiC(rGO)p/PVG素坯放入惰性气氛管式炉内进行高温烧结，随炉冷却后即得到黑色的二硅化钼/碳化硅三维聚合物先驱体陶瓷，简称3D-SiC(rGO,MoSi2x)纳米复合块体陶瓷，其中x为二硅化钼占整个素坯的质量分数。
2.如权利要求1所述二硅化钼/碳化硅三维聚合物先驱体陶瓷的制备方法，其特征在于在步骤1)中，所述惰性气氛为氩气，流速为60mL/min。
3.如权利要求1所述二硅化钼/碳化硅三维聚合物先驱体陶瓷的制备方法，其特征在于在步骤3)中，所述球磨时间为8～10h。
4.如权利要求1所述二硅化钼/碳化硅三维聚合物先驱体陶瓷的制备方法，其特征在于在步骤5)中，所述惰性气氛为氩气，流速为50～80mL/min。
5.如权利要求1所述二硅化钼/碳化硅三维聚合物先驱体陶瓷的制备方法，其特征在于在步骤5)中，所述高温烧结的温度为1300℃，升温速率为3～5℃/min，保温时间为25～35min。
6.如权利要求1～5中任一项所述二硅化钼/碳化硅三维聚合物先驱体陶瓷的制备方法制备的二硅化钼/碳化硅三维聚合物先驱体陶瓷。
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