[发明专利]复合膜材及其制备方法、中框及电子设备

权利要求书

1.一种复合膜材，其特征在于，包括：

塑料基材，所述塑料基材的一表面经离子源轰击形成纳米级粗化表面；

过渡层，通过物理气相沉积工艺形成于所述塑料基材的纳米级粗化表面上；

硬质膜层，通过气相沉积工艺形成于所述过渡层的远离所述塑料基材的表面上；所述硬质膜层的硬度大于所述过渡层的硬度。

2.如权利要求1所述的复合膜材，其特征在于，所述过渡层为硅层、金属钛层和氧化钛层中的一种或者多种形成的叠层。

3.如权利要求2所述的复合膜材，其特征在于，所述过渡层为金属钛层和氧化钛层的叠层，所述氧化钛层位于所述塑料基材与所述金属钛层之间。

4.如权利要求1至3任一项所述的复合膜材，其特征在于，所述硬质膜层为金属铬层、金属氮化物层和金属碳化物层中的一种或者多种形成的叠层。

5.如权利要求4所述的复合膜材，其特征在于，所述硬质膜层为金属铬层、氮化钛层、氮化铬层、碳化钛层和碳化铬层中的一种或者多种形成的叠层。

6.如权利要求5所述的复合膜材，其特征在于，所述硬质膜层为金属铬层、氮化钛层和碳化铬层的叠层，所述金属铬层、所述氮化钛层和所述碳化铬层依次设于所述过渡层的远离所述塑料基材的表面上。

7.如权利要求6所述的复合膜材，其特征在于，所述过渡层为金属钛层和氧化钛层的叠层，所述氧化钛层与所述塑料基材直接接触，所述金属钛层与所述金属铬层直接接触。

8.如权利要求6所述的复合膜材，其特征在于，所述硬质膜层的总厚度为1000nm～5000nm。

9.如权利要求1至3任一项所述的复合膜材，其特征在于，所述复合膜材还包括防指纹膜层，所述防指纹膜层设于所述硬质膜层的远离所述过渡层的表面上。

10.一种复合膜材的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在塑料基材的一表面采用离子源轰击形成纳米级粗化表面；

在所述塑料基材的纳米级粗化表面上通过物理气相沉积工艺形成过渡层；

在所述过渡层的远离所述塑料基材的表面上通过气相沉积工艺形成硬质膜层，所述硬质膜层的硬度大于所述过渡层的硬度。

11.如权利要求10所述的复合膜材的制备方法，其特征在于，形成所述过渡层的步骤与形成所述硬质膜层的步骤在同一真空镀膜腔室中进行。

12.如权利要求10所述的复合膜材的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括在所述硬质膜层的远离所述过渡层的表面上形成防指纹膜层的步骤；

形成所述过渡层的步骤、形成所述硬质膜层的步骤与形成所述防指纹膜层的步骤在同一真空镀膜腔室中进行。

13.如权利要求1至9任一项所述的复合膜材或如权利要求10至12任一项所述的制备方法制得的复合膜材在制备电子设备中的应用。

14.一种中框，其特征在于，采用如权利要求1至9任一项所述的复合膜材或如权利要求10至12任一项所述的制备方法制得的复合膜材制备而成。

15.一种外壳，其特征在于，包括如权利要求14所述的中框。

16.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求15所述的外壳。