[发明专利]交直流转换电路和电源转换装置

说明书

本发明适用于开关电源技术领域，尤其涉及一种交直流转换电路和电源转换装置，其中，交直流转换电路包括变压器、原边转换电路和副边同步整流电路，原边转换电路包括原边开关管、原边驱动电路、启动控制电路和电压检测输出电路，通过在原边启动时进行预驱动，即输出占空比较小的PWM控制信号控制原边开关管导通和关断，以保证副边同步整流电路的MOSFET在寄生体二极管续流电流衰减到零后再次控制原边控制电路控制原边驱动电路工作，从而解决了副边MOSFET的二极管反向恢复电流造成副边MOSFET应力过高的问题，提高了驱动可靠性。

技术领域

本发明属于开关电源技术领域，尤其涉及一种交直流转换电路和电源转换装置。

背景技术

随着对电源效率要求的国际标准的提高，AC/DC充电器或适配器在副边采用同步整流控制代替单纯的二极管整流已经越来越成为一种主流甚至强制性方案，副边同步整流MOSFET相对二极管来说有更低的导通电压,可以减少导通损耗,提高系统效率。

采用同步整流的系统，在系统启动时,需要副边同步整流控制芯片的VCC电压建立好之后,才能正常导通MOSFET，而在VCC建立完成之前,都是通过副边MOSFET的寄生体二极管进行续流。

当在VCC电压建立起来之前，如果副边同步整流MOSFET在某些开关周期工作在连续电流导通模式(CCM)时，那么原边MOSFET开通之前，副边同步整流MOSFET的寄生寄生体二极管一直承载电流，由于寄生体二极管的反向恢复特性通常很差，在原边MOSFET开通时，就会造成寄生体二极管内很大的反向恢复电流，并通过回路中的寄生电感进而形成明显的副边同步整流MOSFET上的Vds电压应力，应力过高，一方面可能击穿同步整流MOSFET，另一方面，每次系统启动时常发生的同步整流MOSFET的Vds电压应力过高，也会对电源系统带来长期可靠性的负面影响；或者因VDS应力过高而需要选择耐压等级更高的副边MOSFET,增加系统成本。

发明内容

本发明的目的在于提供一种交直流转换电路，旨在解决传统的同步整流系统存在二极管反向恢复电流过大导致副边整流MOS管应力过大的问题。

本发明实施例的第一方面提了一种交直流转换电路，交直流转换电路包括变压器、原边转换电路和副边同步整流电路，所述变压器的初级线圈的第一端用于接入交流电源，所述变压器的初级线圈的第二端与所述原边转换电路连接，所述变压器的次级线圈与所述副边同步整流电路连接；

所述原边转换电路包括原边开关管、原边驱动电路、启动控制电路和电压检测输出电路；

所述电压检测电路，用于在检测到原边初始上电电压达到第一预设电压时，分别输出驱动电压至所述原边控制电路和所述原边驱动电路，并输出第一使能信号至所述启动控制电路；

所述启动控制电路，用于在接收到所述第一使能信号时输出预设大小的第一PWM控制信号至所述原边驱动电路，在预设周期或者预设时长后截止输出所述第一PWM控制信号，并输出第二使能信号至所述原边控制电路；

所述原边控制电路，用于在接收到所述第二使能信号时开始工作，并输出第二PWM控制信号至所述原边驱动电路；

所述原边驱动电路，用于在接收到所述第一PWM控制信号时，对所述第一PWM控制信号进行放大，并根据放大后的所述第一PWM控制信号控制所述原边开关管导通或截止，在接收到所述第二PWM控制信号时，对所述第二PWM控制信号进行放大，并根据放大后的所述第二PWM控制信号控制所述原边开关管导通或截止；

其中，所述第一PWM控制信号的占空比小于所述第二PWM控制信号的占空比。

在一个实施例中，所述启动控制电路包括信号发生电路和计时计数电路；