[发明专利]半导体装置以及金属氧化物半导体电容器结构在审

申请号：	202010722652.1	申请日：	2020-07-24
公开（公告）号：	CN113972258A	公开（公告）日：	2022-01-25
发明（设计）人：	颜孝璁;陈家源	申请（专利权）人：	瑞昱半导体股份有限公司
主分类号：	H01L29/06	分类号：	H01L29/06;H01L23/64;H01L27/02
代理公司：	隆天知识产权代理有限公司 72003	代理人：	黄艳;郑特强
地址：	中国台***	国省代码：	台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	半导体装置以及金属氧化物电容器结构
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【说明书】：

本申请提供了半导体装置以及金属氧化物半导体电容器结构。半导体装置设置于一电感器之下。半导体装置包含一金属氧化物半导体电容器结构以及一图案化屏蔽结构。金属氧化物半导体电容器结构包含一多晶硅层、一氧化定义层以及一第一金属层。第一金属层连接多晶硅层以及氧化定义层。图案化屏蔽结构设置于金属氧化物半导体电容器结构之上且包含一第二金属层。

技术领域

本公开中所述实施例内容涉及一种半导体技术，特别涉及一种金属氧化物半导体电容器结构以及包含金属氧化物半导体电容器结构的半导体装置。

背景技术

随着半导体技术的发展，金属氧化物半导体电容器结构已应用于许多电路系统。然而，一些相关技术中的金属氧化物半导体电容器结构存在有许多缺点，导致半导体装置的品质因数值(quality factor，Q value)不佳。

发明内容

本公开的一些实施方式涉及一种半导体装置。半导体装置设置于一电感器之下。半导体装置包含一金属氧化物半导体电容器结构以及一图案化屏蔽结构。金属氧化物半导体电容器结构包含一多晶硅层、一氧化定义层以及一第一金属层。第一金属层连接多晶硅层以及氧化定义层。图案化屏蔽结构设置于金属氧化物半导体电容器结构之上且包含一第二金属层。

本公开的一些实施方式涉及一种金属氧化物半导体电容器结构。金属氧化物半导体电容器结构设置于一图案化屏蔽结构之下。金属氧化物半导体电容器结构包含一多晶硅层、一氧化定义层以及一第一金属层。第一金属层通过一第一连接通孔连接多晶硅层，且通过一第二连接通孔连接氧化定义层。图案化屏蔽结构包含一第二金属层，且第一金属层通过一第三连接通孔连接第二金属层。

综上所述，本公开的半导体装置可利用两层金属层实现金属氧化物半导体电容器结构以及图案化屏蔽结构，且可提高品质因数值。

附图说明

为让本公开的上述和其他目的、特征、优点与实施例能够更明显易懂，附图的说明如下：

图1是依照本公开一些实施例所示出的一电感器以及一半导体装置的示意图；

图2是依照本公开一些实施例所示出的一半导体装置的示意图；

图3是依照本公开一些实施例所示出的图2中一剖面线的剖面图；

图4是依照本公开一些实施例所示出的图2中一剖面线的剖面图；

图5是依照本公开一些实施例所示出的一半导体装置的示意图；以及

图6是依照本公开一些实施例所示出的一半导体装置的示意图。

符号说明

110：电感器

120：半导体装置