[发明专利]放电装置在审
申请号: | 202010722975.0 | 申请日: | 2020-07-24 |
公开(公告)号: | CN113972637A | 公开(公告)日: | 2022-01-25 |
发明(设计)人: | 马英庭 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | H02H9/00 | 分类号: | H02H9/00;H02H9/04 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 朱颖;臧建明 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 放电 装置 | ||
1.一种放电装置,用于对电子装置的内部电力进行放电,其特征在于,所述放电装置包括:
电压调节电路,经配置以接收所述内部电力,并将所述内部电力调节为一经调节电力;
电荷存储电路,耦接于所述电压调节电路,经配置以存储所述经调节电力;
控制信号产生器,耦接于所述电压调节电路以及所述电荷存储电路,经配置以接收所述经调节电力以及外部电力,依据所述经调节电力被致能,并反应于所述外部电力的电压电平产生控制信号;以及
放电路径,耦接于所述控制信号产生器,经配置以接收所述内部电力,并依据所述控制信号被导通,以对所述内部电力进行放电。
2.根据权利要求1所述的放电装置,其特征在于:
当所述外部电力的电压电平为高电压电平时,所述控制信号产生器产生具有低电压电平的所述控制信号,并且
当所述外部电力的电压电平为低电压电平时,所述控制信号产生器产生具有高电压电平的所述控制信号。
3.根据权利要求1所述的放电装置,其特征在于,当所述内部电力的电压电平低于所述经调节电力的电压电平时,所述控制信号产生器依据所述电荷存储电路所存储的所述经调节电力被致能。
4.根据权利要求1所述的放电装置,其特征在于,所述电压调节电路包括:
调节晶体管,所述调节晶体管的第一端经配置以接收所述内部电力,所述调节晶体管的控制端耦接于所述调节晶体管的第二端,所述调节晶体管的第二端经配置以提供所述经调节电力。
5.根据权利要求4所述的放电装置,其特征在于,所述电荷存储电路包括:
电容器,所述电容器的第一端耦接至所述调节晶体管所述调节晶体管的第二端,所述电容器的第二端耦接于参考低电位。
6.根据权利要求4所述的放电装置,其特征在于,所述电荷存储电路还包括:
限流电阻,耦接于所述调节晶体管的第二端与所述控制信号产生器之间。
7.根据权利要求1所述的放电装置,其特征在于,所述控制信号产生器通过反相电路来实现,并且对所述外部电力进行反相以产生所述控制信号。
8.根据权利要求7所述的放电装置,其特征在于,所述控制信号产生器包括:
P型场效晶体管,所述P型场效晶体管的第一端经配置以接收所述经调节电力;以及
N型场效晶体管,所述N型场效晶体管的第一端耦接于所述P型场效晶体管的第二端,所述N型场效晶体管的控制端与所述P型场效晶体管的控制端共同接收所述外部电力,所述N型场效晶体管的第二端耦接于参考低电位,所述N型场效晶体管的第一端与所述P型场效晶体管的第二端共同被作为所述控制信号产生器的输出端。
9.根据权利要求1所述的放电装置,其特征在于,所述放电路径包括:
放电晶体管,所述放电晶体管的第一端经配置以接收所述内部电力,所述放电晶体管的控制端耦接于所述控制信号产生器,所述放电晶体管的第二端耦接于参考低电位。
10.根据权利要求1所述的放电装置,其特征在于,所述放电路径还包括:
放电电阻,其中所述放电晶体管的第一端经配置以经由所述放电电阻接收所述内部电力。
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