[发明专利]具有阻变层的非易失性存储器件及其操作方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器件，包括：

衬底；

阻变层，其设置在所述衬底之上；

栅绝缘层，其设置在所述阻变层上；

栅电极层，其设置在所述栅绝缘层上；以及

第一电极图案层和第二电极图案层，其分别设置在所述衬底之上并且设置为接触所述阻变层的不同部分。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述阻变层包括氧空位或可移动金属离子。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，还包括导电细丝，所述导电细丝当施加设定电压时形成在所述阻变层中，以将所述第一电极图案层和所述第二电极图案层电连接。

4.根据权利要求3所述的非易失性存储器件，其中，所述导电细丝包括第一触发细丝和第二触发细丝以及连接细丝，所述第一触发细丝和所述第二触发细丝与所述第一电极图案层和所述第二电极图案层的相应边缘部分相邻，所述连接细丝将所述第一触发细丝和第二触发细丝彼此连接。

5.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述阻变层具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，以及

其中，所述栅绝缘层以及所述第一电极图案层和所述第二电极图案层设置为接触所述第一表面。

6.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述阻变层具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，

其中，所述栅绝缘层设置为接触所述第一表面，以及

其中，所述第一电极图案层和所述第二电极图案层设置为接触所述第二表面。

7.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述阻变层包括顺序地设置在所述第一电极图案层和所述第二电极图案层之上的第一电阻材料层和第二电阻材料层，以及

其中，所述第一电阻材料层具有比所述第二电阻材料层更低浓度的氧空位或更低浓度的可移动金属离子。

8.根据权利要求7所述的非易失性存储器件，其中，所述第一电阻材料层和所述第二电阻材料层中的每个包括大致上相同的可变电阻材料。

9.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述阻变层包括顺序地设置在所述第一电极图案层和所述第二电极图案层之上的第一电阻材料层和第二电阻材料层，以及

其中，所述第一电阻材料层具有比所述第二电阻材料层更高的电阻。

10.一种非易失性存储器件，包括：

衬底；

栅电极层，其设置在所述衬底之上；

栅绝缘层，其设置在所述衬底之上并且设置为包围所述栅电极层；

第一电极图案层和第二电极图案层，其设置在所述衬底之上并且分别设置在所述栅电极层的相对侧上；以及

阻变层，其设置在所述栅绝缘层上以及所述第一电极图案层和所述第二电极图案层上，

其中，所述阻变层包括氧空位和可移动金属离子。

11.根据权利要求10所述的非易失性存储器件，其中，所述阻变层设置为接触所述栅绝缘层以及所述第一电极图案层和所述第二电极图案层，以及

其中，所述第一电极图案层和所述第二电极图案层设置为在所述栅电极层的相对侧上接触所述栅绝缘层。

12.根据权利要求10所述的非易失性存储器件，还包括导电细丝，所述导电细丝当施加设定电压时形成在所述阻变层中，以将所述第一电极图案层与所述第二电极图案层彼此电连接。

13.根据权利要求12所述的非易失性存储器件，其中，所述导电细丝包括第一触发细丝和第二触发细丝以及连接细丝，所述第一触发细丝和所述第二触发细丝分别设置在所述第一电阻材料层中与所述第一电极图案层和所述第二电极图案层的边缘部分相邻，所述连接细丝将所述第一触发细丝与所述第二触发细丝彼此连接。