[发明专利]透明有机发光显示面板、制备方法和显示装置

权利要求书

1.一种透明有机发光显示面板，其特征在于，包括：

基板，所述基板上具有发光区以及透光区；

多个有机发光二极管，所述有机发光二极管位于所述发光区，所述有机发光二极管包括阳极、阴极，以及位于所述阳极和所述阴极之间的发光层，所述阴极和所述发光层自所述发光区延伸至所述透光区，所述阴极和所述发光层之间具有金属缓冲层；

拓扑绝缘体层，所述拓扑绝缘体层在所述基板上的正投影位于所述透光区，且所述拓扑绝缘体层位于所述金属缓冲层以及所述发光层之间；

所述金属缓冲层包括低透金属，形成所述拓扑绝缘体层的材料包括低透金属-有机拓扑绝缘体；

所述低透金属包括Mg，所述金属缓冲层进一步包括高透金属，所述高透金属包括Ag，所述高透金属位于所述金属缓冲层中与所述透光区和所述发光区相对应处，所述低透金属位于所述金属缓冲层中和所述发光区相对应处，所述拓扑绝缘体层包括Mg-DAC。

2.根据权利要求1所述的透明有机发光显示面板，其特征在于，所述透明有机发光显示面板在所述透光区的透过率大于70％。

3.根据权利要求2所述的透明有机发光显示面板，其特征在于，形成所述阴极的材料包括IZO，所述阴极的厚度为100～300nm。

4.根据权利要求3所述的透明有机发光显示面板，其特征在于，所述金属缓冲层的厚度为10nm以上。

5.一种制备透明有机发光显示面板的方法，其特征在于，包括：

在基板上形成多个有机发光二极管，所述基板上具有发光区以及透光区所述有机发光二极管位于所述发光区，所述有机发光二极管包括阳极、阴极，以及位于所述阳极和所述阴极之间的发光层，所述阴极和所述发光层自所述发光区延伸至所述透光区，所述阴极和所述发光层之间具有金属缓冲层，

其中，在形成所述金属缓冲层之前，预先在所述发光层远离基板的一侧形成拓扑绝缘体层，所述拓扑绝缘体层在所述基板上的正投影位于所述透光区；

所述金属缓冲层包括低透金属，形成所述拓扑绝缘体层的材料包括低透金属-有机拓扑绝缘体；

所述低透金属包括Mg，所述金属缓冲层进一步包括高透金属，所述高透金属包括Ag，所述高透金属位于所述金属缓冲层中与所述透光区和所述发光区相对应处，所述低透金属位于所述金属缓冲层中和所述发光区相对应处，所述拓扑绝缘体层包括Mg-DAC。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述金属缓冲层是通过蒸镀工艺形成的，形成所述金属缓冲层的蒸镀温度为450～600摄氏度；

所述拓扑绝缘体层是通过所述蒸镀工艺形成的，形成所述拓扑绝缘体层的蒸镀温度为300～450摄氏度。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法包括：

在所述基板上形成所述发光层；

在所述基板的所述透光区通过蒸镀工艺形成所述拓扑绝缘体层，所述拓扑绝缘体层覆盖所述发光层位于所述透光区的部分；

通过所述蒸镀工艺形成所述金属缓冲层，所述金属缓冲层覆盖位于所述发光区的所述发光层，以及位于所述透光区的所述拓扑绝缘体层，所述金属缓冲层中含有高透金属和低透金属，位于所述发光区处的所述金属缓冲层中具有所述高透金属和低透金属，位于所述透光区处的所述金属缓冲层中具有所述高透金属；

通过溅射工艺，在所述金属缓冲层远离所述基板的一侧形成所述阴极。

8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-4任一项所述的透明有机发光显示面板。