[发明专利]高稳定性的全无机CsPbI2

权利要求书

1.一种高稳定性的全无机CsPbI₂Br钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，清洗FTO导电玻璃衬底材料，N₂干燥，并用紫外臭氧处理；

步骤2，将TiO₂溶胶涂敷在FTO导电玻璃衬底上旋转，然后在空气中退火；自然冷却至室温后，获得致密的TiO₂层；

步骤3，将溴化甲胺溶于有机溶剂A，配制成摩尔浓度为0.05-0.2mol/L溶液作为反溶剂；

步骤4，按照摩尔比2：1：1将碘化铯、碘化铅、溴化铅加入有机溶剂B中搅拌，配制为摩尔浓度0.6-1.25mol/L的钙钛矿前驱体溶液；

步骤5，将钙钛矿前驱体溶液涂覆到FTO/TiO₂衬底上，以不同的速度旋转，以获得CsPbI₂Br钙钛矿前驱体薄膜；

步骤6，在旋涂CsPbI₂Br钙钛矿前驱体薄膜的过程中，将溴化甲胺溶液涂敷在钙钛矿前驱体薄膜上，发生卤素交换反应；

步骤7，对钙钛矿薄膜进行退火，将前驱体薄膜中的碘化甲胺挥发掉，在其表面形成全无机CsPbI₂Br钙钛矿薄膜。

2.根据权利要求1所述的高稳定性的全无机CsPbI₂Br钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述有机溶剂A为甲醇、异丙醇、甲苯、氯苯中的一种或多种混合溶液。

3.根据权利要求1所述的高稳定性的全无机CsPbI₂Br钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述有机溶剂B为二甲基亚砜DMSO、二甲基甲酰胺DMF、γ-丁内酯中的一种或多种混合溶液。

4.根据权利要求1所述的高稳定性的全无机CsPbI₂Br钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤4中，在室温条件下，利用磁力搅拌器至少搅拌12h。

5.根据权利要求1所述的高稳定性的全无机CsPbI₂Br钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤5中，将钙钛矿前驱体溶液旋涂在FTO/TiO₂衬底上，先以1500-2000rpm旋转20-30s，接着以4000-5000rpm旋转60-120s，制备的CsPbI₂Br钙钛矿前驱体薄膜厚度为400-600nm。

6.根据权利要求1所述的高稳定性的全无机CsPbI₂Br钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤5中，在旋涂钙钛矿薄膜前，利用紫外臭氧处理衬底表面5-15min。

7.根据权利要求1所述的高稳定性的全无机CsPbI₂Br钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤6中，在旋涂CsPbI₂Br钙钛矿前驱体薄膜过程结束前30s时，将溴化甲胺溶液滴在旋转的FTO/TiO₂衬底中心。

8.根据权利要求1所述的高稳定性的全无机CsPbI₂Br钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤7中，在钙钛矿前驱体薄膜退火前，先50℃预热3-10min，退火温度为150-250℃。

9.一种基于权利要求1-8任一项所述方法制备的CsPbI₂Br钙钛矿前驱体薄膜。