[发明专利]一种显示基板及其制作方法、显示面板有效

专利信息
申请号: 202010724601.2 申请日: 2020-07-24
公开(公告)号: CN111816686B 公开(公告)日: 2023-05-23
发明(设计)人: 袁粲;李永谦;袁志东 申请(专利权)人: 合肥京东方卓印科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H10K59/121 分类号: H10K59/121;H10K71/00
代理公司: 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 代理人: 李娜
地址: 230012 安徽省合肥市新*** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 显示 及其 制作方法 面板
【说明书】:

发明提供一种显示基板及其制作方法、显示面板,涉及显示技术领域,能够改善画面闪烁问题。显示基板包括第一薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管、存储电容和发光单元;第一薄膜晶体管的第二极、驱动薄膜晶体管的栅极和存储电容的第一极电连接;驱动薄膜晶体管的第二极、存储电容的第二极和发光单元电连接;存储电容包括第一电容电极、第一介质层、第二电容电极、第二介质层、第三电容电极、第三介质层和第四电容电极;第一电容电极、第一介质层和第二电容电极形成第一子电容;第二电容电极、第二介质层和第三电容电极形成第二子电容;第三电容电极、第三介质层和第四电容电极形成第三子电容。本发明适用于显示基板、显示面板的制作。

技术领域

本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板及其制作方法、显示面板。

背景技术

随着显示技术的发展,超高PPI(Pixels Per Inch,像素密度)的OLED(OrganicLight-Emitting Diode,有机发光二极管)显示面板得到人们广泛的关注。在超高PPI的OLED显示面板中,像素Layout(布图)空间非常有限,且不同信号线之间的密度较大,容易引起信号间的串扰,从而导致驱动OLED发光的电流发生波段跳跃,进而出现画面闪烁,无法正常显示,从而大幅降低显示效果。目前,亟需设计一种新的显示面板以解决上述问题。

发明内容

本发明的实施例提供一种显示基板及其制作方法、显示面板,该显示面板能够改善因信号串扰导致的画面闪烁问题,从而提高显示效果。

一方面,提供一种显示基板,包括衬底以及位于所述衬底之上的多条数据信号线和阵列排布的多个子像素,所述子像素至少与一条所述数据信号线电连接。

所述子像素包括:第一薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管、存储电容和发光单元;所述第一薄膜晶体管的第二极、所述驱动薄膜晶体管的栅极和所述存储电容的第一极三者电连接;所述驱动薄膜晶体管的第二极、所述存储电容的第二极和所述发光单元三者电连接。

所述存储电容包括:依次层叠设置在所述衬底之上的第一电容电极、第一介质层、第二电容电极、第二介质层、第三电容电极、第三介质层和第四电容电极;所述第四电容电极在所述衬底上的正投影与所述第三电容电极在所述衬底上的正投影部分交叠。

其中,所述第一电容电极、所述第一介质层和所述第二电容电极形成第一子电容;所述第二电容电极、所述第二介质层和所述第三电容电极形成第二子电容;所述第三电容电极、所述第三介质层和所述第四电容电极形成第三子电容。

可选的,所述第四电容电极包括互不连接的第一连接电极和第二连接电极,所述第二电容电极和所述第二连接电极电连接,用作所述存储电容的第一极;所述第一电容电极和所述第三电容电极电连接,用作所述存储电容的第二极;所述第三电容电极还和所述第一连接电极电连接。

可选的,所述显示基板还包括发光区以及与所述发光区相邻的非发光区;所述子像素还包括:

第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管位于所述非发光区,所述第二薄膜晶体管位于所述发光区;所述第二薄膜晶体管的第二极、所述存储电容的第二极、所述发光单元和所述驱动薄膜晶体管的第二极四者电连接。

其中,所述第一连接电极和所述第一薄膜晶体管的第二极电连接,所述第二连接电极和所述第二薄膜晶体管的第二极电连接。

可选的,所述子像素还包括有源层、栅绝缘层和栅极层,所述有源层设置在所述衬底之上、且与所述第一介质层互不交叠;所述栅绝缘层和栅极层依次层叠设置在所述有源层之上;所述栅绝缘层与所述第一介质层同层设置;所述栅极层与所述第二电容电极同层设置。

可选的,所述显示基板还包括发光区以及与所述发光区相邻的非发光区;所述第一子电容、所述第二子电容和所述第三子电容至少位于所述发光区。

另一方面,提供了一种显示面板,包括上所述的显示基板。该显示面板的显示效果佳,产品质量高。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥京东方卓印科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司,未经合肥京东方卓印科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010724601.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top