[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，包括用于形成目标图形的目标层，所述基底包括图形稀疏区和图形密集区，所述图形稀疏区中的目标图形密度小于所述图形密集区中的目标图形密度；

在所述目标层上形成分立的核心层；

形成保形覆盖所述核心层和目标层的侧墙材料层；

在所述图形稀疏区中，在相邻所述核心层之间的侧墙材料层上形成牺牲层，且所述牺牲层与位于所述核心层侧壁的侧墙材料层之间具有间隔；

刻蚀位于所述核心层顶部以及所述牺牲层露出的目标层上的侧墙材料层，保留位于所述核心层侧壁的侧墙材料层作为掩膜侧墙；

形成所述掩膜侧墙后，去除所述核心层；

去除所述核心层后，以所述掩膜侧墙为掩膜刻蚀所述目标层，形成目标图形。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述掩膜侧墙后，刻蚀所述目标层之前，半导体结构的形成方法还包括：去除所述牺牲层。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述掩膜侧墙后，去除所述核心层之前，去除所述牺牲层。

4.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀位于所述核心层顶部以及所述牺牲层露出的目标层上的侧墙材料层的步骤中，保留位于所述牺牲层底部的侧墙材料层作为底部残余层；

去除所述核心层后，刻蚀所述目标层之前，半导体结构的形成方法还包括：采用各向异性的刻蚀工艺刻蚀所述侧墙材料层和底部残余层，直至去除所述底部残余层。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述侧墙材料层的步骤中，位于相邻所述核心层之间的侧墙材料层围成凹槽；

形成所述牺牲层的步骤包括：形成保形覆盖所述侧墙材料层的第一牺牲材料层，在所述图形密集区中，所述第一牺牲材料层密封所述凹槽顶部；

形成所述第一牺牲材料层后，在所述图形稀疏区中，在所述凹槽的剩余空间中形成顶部牺牲层；

去除所述顶部牺牲层露出的第一牺牲材料层，保留所述顶部牺牲层下方的剩余第一牺牲材料层作为底部牺牲层，所述底部牺牲层和顶部牺牲层构成牺牲层。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺、炉管工艺、物理气相沉积工艺或原子层沉积工艺形成所述第一牺牲材料层。

7.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一牺牲材料层的步骤中，在所述图形密集区中，所述凹槽中的第一牺牲材料层与所述侧墙材料层之间具有孔隙。

8.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述顶部牺牲层的步骤包括：形成覆盖所述第一牺牲材料层的第二牺牲材料层，在所述图形稀疏区中，所述第二牺牲材料层填充所述凹槽的剩余空间；

对所述第二牺牲材料层进行平坦化处理，形成露出所述第一牺牲材料层的顶部牺牲层。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述平坦化处理包括化学机械研磨处理和回刻蚀处理中的一种或两种。

10.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述平坦化处理包括回刻蚀处理，在所述回刻蚀处理的过程中，所述第二牺牲材料层和第一牺牲材料层之间的刻蚀选择比大于3:1。

11.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用各向异性的刻蚀工艺，去除所述顶部牺牲层露出的第一牺牲材料层。

12.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用刻蚀工艺去除所述顶部牺牲层露出的第一牺牲材料层，所述第一牺牲材料层和顶部牺牲层之间的刻蚀选择比大于5:1，所述第一牺牲材料层和侧墙材料层之间的刻蚀选择比大于5:1。