[发明专利]像素电路及其驱动方法、显示装置在审

专利信息
申请号: 202010724831.9 申请日: 2020-07-24
公开(公告)号: CN111754938A 公开(公告)日: 2020-10-09
发明(设计)人: 王选芸;戴超 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: G09G3/3233 分类号: G09G3/3233
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 远明
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 像素 电路 及其 驱动 方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种像素电路,其特征在于,所述像素电路包括:

有机发光二极管;

驱动晶体管,所述驱动晶体管的输出端与所述有机发光二极管的阳极电连接;

补偿晶体管,所述补偿晶体管的第一端与所述驱动晶体管的输出端连接,所述补偿晶体管的第二端与所述驱动晶体管的控制端电连接;

初始化晶体管,所述初始化晶体管的输入端与初始化信号线连接,所述初始化晶体管的输出端与所述补偿晶体管的第二端连接,且所述初始化晶体管的输出端与所述驱动晶体管的控制端电连接;以及

阳极复位晶体管,所述阳极复位晶体管的输入端与所述驱动晶体管的输出端以及补偿晶体管的第一端连接,所述阳极复位晶体管的输出端与所述有机发光二极管的阳极连接。

2.根据权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述像素电路还包括防漏电晶体管,所述防漏电晶体管连接于所述补偿晶体管的第二端和所述驱动晶体管的控制端之间,且所述防漏电晶体管连接于所述初始化晶体管的输出端和所述驱动晶体管的控制端之间,

其中,所述防漏电晶体管、所述初始化晶体管以及所述补偿晶体管中的至少一者为具有金属氧化物有源层的晶体管。

3.根据权利要求2所述的像素电路,其特征在于,所述防漏电晶体管和所述补偿晶体管均为N型且具有金属氧化有源层的晶体管。

4.根据权利要求3所述的像素电路,其特征在于,所述防漏电晶体管的控制端和所述补偿晶体管的控制端均与第一控制信号线连接。

5.根据权利要求2所述的像素电路,其特征在于,所述防漏电晶体管为N型且具有金属氧化物有源层的晶体管,所述补偿晶体管为P型且具有多晶硅有源层的晶体管。

6.根据权利要求1-5任一项所述的像素电路,其特征在于,所述阳极复位晶体管为N型且具有金属氧化物有源层的晶体管。

7.根据权利要求1-5任一项所述的像素电路,其特征在于,所述阳极复位晶体管和所述初始化晶体管均为P型且具有多晶硅有源层的晶体管,所述初始化晶体管的控制端和所述阳极复位晶体管的控制端均与第二控制信号线连接。

8.根据权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述像素电路还包括:

开关晶体管,所述开关晶体管的输入端与数据信号线连接,所述开关晶体管的输出端与所述驱动晶体管的输入端连接;

第一发光控制晶体管,所述第一发光控制晶体管的输入端与电源信号线连接,所述第一发光控制晶体管的输出端与所述驱动晶体管的输入端连接;

第二发光控制晶体管,所述第二发光控制晶体管的输入端与所述驱动晶体管的输出端、所述补偿晶体管的第一端以及所述阳极复位晶体管的输入端连接,所述第二发光控制晶体管的输出端与所述有机发光二极管的阳极连接;

电容器,所述电容器的第一端与所述电源信号线连接,所述电容器的第二端与所述驱动晶体管的控制端连接。

9.根据权利要求8所述的像素电路,其特征在于,所述驱动晶体管、所述开关晶体管、所述第一发光控制晶体管以及所述第二发光控制晶体管均为P型且具有多晶硅有源层的晶体管。

10.一种如权利要求1所述像素电路的驱动方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:

在阳极复位阶段,所述驱动晶体管关闭,所述补偿晶体管导通,所述初始化晶体管导通且将所述初始化信号线输入的复位信号经导通的所述补偿晶体管传输至所述阳极复位晶体管的输入端,且导通的所述阳极复位晶体管将所述复位信号输出至所述有机发光二极管的阳极;

在发光阶段,所述阳极复位晶体管关闭,所述补偿晶体管关闭,所述初始化晶体管关闭,所述驱动晶体管导通且向所述有机发光二极管的阳极输出驱动电流。

11.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括如权利要求1-9任一项所述的像素电路。

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