[发明专利]LED芯片、显示屏模块及显示屏

权利要求书

1.一种LED芯片，其特征在于，所述LED芯片用于LED显示屏模块，所述LED芯片包括：

N型半导体；

发光层，位于所述N型半导体层上方；

P型半导体层，位于所述发光层上方；

减反射层，覆盖于所述P型半导体层上方，用于吸收由所述发光层出射并最终射向所述减反射层的光线；

第一电极及第二电极，分别位于所述P型半导体层及所述N型半导体层上方并分别与所述P型半导体层及N型半导体层电连接。

2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述减反射层包括低反射率导电材料，且所述减反射层与所述P型半导体层形成欧姆接触以同时作为电流扩展层，所述第一电极通过所述减反射层与所述P型半导体层电连接。

3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于：所述低反射率导电材料包括Ni/Au/Ti叠层金属膜，其中，Ni/Au/Ti叠层金属膜中的Ti层与所述P型半导体层连接。

4.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于：所述Ni/Au/Ti叠层金属膜中的Ni层的厚度介于5纳米～15纳米，Au层的厚度介于50纳米～100纳米，Ni层的厚度介于80纳米～150纳米。

5.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述第一电极包括第一底层电极及第一外层电极，所述第二电极包括第二底层电极及第二外层电极，所述减反射层包括低反射率导电材料，所述减反射层与所述P型半导体层形成欧姆接触以同时作为所述第一底层电极及电流扩展层。

6.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述LED芯片还包括ITO透明导电层，所述ITO透明导电层与所述P型半导体层形成欧姆接触，所述减反射层覆盖于所述ITO透明导电层表面，所述第一电极通过所述减反射层及所述ITO透明导电层与所述P型半导体层电连接。

7.根据权利要求6所述的LED芯片，其特征在于：所述第一电极包括第一底层电极及第一外层电极，所述第二电极包括第二底层电极及第二外层电极，所述减反射层作为所述第一底层电极连接所述ITO透明导电层与所述第一外层电极。

8.根据权利要求6所述的LED芯片，其特征在于：所述第一电极包括第一底层电极及第一外层电极，所述第二电极包括第二底层电极及第二外层电极，所述第一底层电极通过所述减反射层及所述ITO透明导电层与所述P型半导体层电连接。

9.一种显示屏模块，其特征在于，包括：

基板，所述基板表面设有多个电极对，所述电极对包括正极与负极；

多个如权利要求1～8任意一项所述的LED芯片，位于所述基板上，所述LED芯片的所述第一电极与所述正极连接，所述第二电极与所述负极连接。

10.一种显示屏，其特征在于，所述显示屏由多个如权利要求9所述的显示屏模块拼接而成。