[发明专利]一种等离子体处理系统及其多段式法拉第屏蔽装置

权利要求书

1.一种等离子体处理系统的多段式法拉第屏蔽装置，包括导电环（1），以及多个辐射对称布置在导电环（1）外周的导电瓣状组件；每个所述导电瓣状组件包括多段导电板（201）和多个连接电容（202）；每个所述导电瓣状组件的多段导电板（201）沿径向间隔排列；每两段相邻导电板（201）之间设置有一个连接电容（202）；其特征在于：每个连接电容（202）包括上电极板（2021）和下电极板（2022）；所述上电极板（2021）的下端面和\或下电极板（2022）的上端面设置有绝缘涂层；所述上电极板（2021）和下电极板（2022）均平行于所述导电板（201）；且上电极板（2021）的下端面与下电极板（2022）的上端面相接；所述上电极板（2021）导电连接在两段相邻导电板（201）中的一段导电板（201）上；所述下电极板（2022）导电连接在两段相邻导电板（201）中的另一段导电板（201）上；多个所述导电板（201）位于同一平面。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理系统的多段式法拉第屏蔽装置，其特征在于：所述上电极板（2021）的上端面不高于导电板（201）的上端面；所述下电极板（2022）的下端面不低于导电板（201）的下端面。

3.根据权利要求1所述的等离子体处理系统的多段式法拉第屏蔽装置，其特征在于：所述上电极板（2021）与下电极板（2022）粘接固定。

4.根据权利要求3所述的等离子体处理系统的多段式法拉第屏蔽装置，其特征在于：所述上电极板（2021）与下电极板（2022）的侧壁外缘处通过胶体粘接固定。

5.一种等离子体处理系统，其特征在于：包括权利要求1-4任意一项所述的法拉第屏蔽装置。

6.根据权利要求5所述的等离子体处理系统，其特征在于：还包括反应腔室（3）；所述反应腔室（3）的上方设置有介质窗（301）；所述法拉第屏蔽装置置于所述介质窗（301）上。

7.根据权利要求6所述的等离子体处理系统，其特征在于：还包括射频线圈（4）；所述射频线圈（4）置于所述法拉第屏蔽装置上。