[发明专利]一种放化纯度高的二步法99m 在审
申请号: | 202010726366.2 | 申请日: | 2020-07-25 |
公开(公告)号: | CN111973763A | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
发明(设计)人: | 王亚敏;张志永;陈敏 | 申请(专利权)人: | 北京森科医药有限公司 |
主分类号: | A61K51/12 | 分类号: | A61K51/12;A61K51/04;A61K103/10 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100071 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 纯度 步法 base sup 99 | ||
1.一种放化纯度高的二步法99mTc-ECD标记工艺,其特征在于,所述工艺包括以下步骤:
S1、亚锡葡庚糖酸钠溶液的制备:将质量比为(1-6):(620-4000)的氯化亚锡和葡庚糖酸钠混合后,在常温下溶解于氯化钠溶液中,得到亚锡葡庚糖酸钠溶液,备用;
S2、将高锝[99mTc]酸钠溶液注入到所述亚锡葡庚糖酸钠溶液中,使得氯化亚锡完全反应,摇匀,静置,待溶液澄清后,得到锝[99mTc]葡庚糖酸钠溶液;
S3、将步骤S2得到的锝[99mTc]葡庚糖酸钠溶液加入到ECD中,并在37-90℃下反应,即得标记物锝[99mTc]双半胱乙酯溶液;其中,ECD和葡庚糖酸钠的质量比为(1-20):(2-100)。
2.根据权利要求1所述的一种放化纯度高的二步法99mTc-ECD标记工艺,其特征在于,所述步骤S1中需添加缓冲液后调节溶液的pH为5.5-7.0。
3.根据权利要求2所述的一种放化纯度高的二步法99mTc-ECD标记工艺,其特征在于,所述缓冲液为磷酸盐缓冲液。
4.根据权利要求1所述的一种放化纯度高的二步法99mTc-ECD标记工艺,其特征在于,所述步骤S3中,反应时间为20-50 min。
5.根据权利要求1所述的一种放化纯度高的二步法99mTc-ECD标记工艺,其特征在于,所述步骤S2中,静置时间为5-15 min。
6.根据权利要求1所述的一种放化纯度高的二步法99mTc-ECD标记工艺,其特征在于,所述氯化钠溶液中氯化钠的质量分数为0.9%。
7.一种99mTc-ECD溶液,其特征在于,所述99mTc-ECD溶液由权利要求1-6任一所述的标记工艺制备得到。
8.根据权利要求7所述的一种99mTc-ECD溶液,其特征在于,所述99mTc-ECD溶液置于常温保存。
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