[发明专利]一种石墨表面硅/碳双层包覆的负极材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202010727837.1 | 申请日： | 2020-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN111925232A | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 岳之浩;周浪;徐国军 | 申请（专利权）人： | 江西昌大高新能源材料技术有限公司 |
| 主分类号： | C04B41/89 | 分类号： | C04B41/89;H01M4/36;H01M4/38;H01M4/587;H01M4/62;H01M10/0525;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 许莹莹 |
| 地址： | 330096 江西省南昌市南昌高新技术*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 表面 双层 负极 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种石墨表面硅/碳双层包覆的负极材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤(1)，将石墨颗粒置于真空热处理炉中；
步骤(2)，到达设定温度后，通入气态硅源，使石墨颗粒表面包覆一层硅层；
步骤(3)，到达设定温度后，通入气态碳源，使硅层表面包覆一层碳层。
2.根据权利要求1所述的石墨表面硅/碳双层包覆的负极材料的制备方法，其特征在于，所述真空热处理炉为旋转真空管式炉。
3.根据权利要求1所述的石墨表面硅/碳双层包覆的负极材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)的设定温度为600-1000℃。
4.根据权利要求1所述的石墨表面硅/碳双层包覆的负极材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中的所述气态硅源为硅烷。
5.根据权利要求1所述的石墨表面硅/碳双层包覆的负极材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)形成的所述硅层厚度为100-500nm。
6.根据权利要求1所述的石墨表面硅/碳双层包覆的负极材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中的设定温度为600-1000℃。
7.根据权利要求1所述的石墨表面硅/碳双层包覆的负极材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中的所述气态碳源为乙炔、甲烷。
8.根据权利要求1所述的石墨表面硅/碳双层包覆的负极材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)形成的所述碳层厚度为5-20nm。
9.一种石墨表面硅/碳双层包覆的负极材料，其特征在于，采用权利要求1至8任一项所述的制备方法制备得到。
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