[发明专利]一种自由运行模式下的负反馈雪崩光电二极管

权利要求书

1.一种自由运行模式下的负反馈雪崩光电二极管，包括外延结构，其特征在于，所述外延结构包括InP衬底，InGaAs吸收层，InGaAsP缓冲层，倍增区，势垒区以及外延集成在器件表面的淬灭薄膜电阻。

2.根据权利要求1所述的自由运行模式下的负反馈雪崩光电二极管，其特征在于，所述倍增区为InP材料，从衬底开始从下到上依次为n-InP，i-InP和P-InP共三层。

3.根据权利要求2所述的自由运行模式下的负反馈雪崩光电二极管，其特征在于，所述倍增区每层厚度在0.1～3.5μm范围。

4.根据权利要求1所述的自由运行模式下的负反馈雪崩光电二极管，其特征在于，所述的势垒区有两层，分别为InGaAlAs材料层、InAlAs材料层和InP材料层。

5.根据权利要求4所述的自由运行模式下的负反馈雪崩光电二极管，其特征在于，所述的势垒区每层厚度在0.1～0.5μm范围。

6.根据权利要求1所述的自由运行模式下的负反馈雪崩光电二极管，其特征在于，所述的器件表面外延集成的淬灭薄膜电阻外延集成的NiCr的合金薄膜电阻，厚度为40nm～1μm。