[发明专利]带有外倒角碟形结构的陶瓷介质芯片、电容器及制备方法在审
申请号: | 202010728516.3 | 申请日: | 2020-07-24 |
公开(公告)号: | CN111755246A | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 蒋小明;姚飞;马永香;韩阿敏 | 申请(专利权)人: | 陕西华星电子开发有限公司 |
主分类号: | H01G4/12 | 分类号: | H01G4/12;H01G4/012 |
代理公司: | 西安泛想力专利代理事务所(普通合伙) 61260 | 代理人: | 石琳丹 |
地址: | 712034 陕西省西安市西咸新区*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 带有 倒角 结构 陶瓷 介质 芯片 电容器 制备 方法 | ||
本发明提供的带有外倒角碟形结构的陶瓷介质芯片、电容器及制备方法,包括陶瓷介质瓷体和设置于陶瓷介质瓷体正反面的一对电极,陶瓷介质瓷体的主体为圆柱形;陶瓷介质瓷体正反面对应于一对电极的覆盖区域形成对称的凹槽,电极是通过溅射工艺在凹槽底面形成的电极镀层;凹槽的顶面高于陶瓷介质瓷体的外侧边缘,使陶瓷介质瓷体的外侧边缘形成倒角结构。与现有技术相比,电极是通过溅射工艺在凹槽底面形成的电极镀层,周边高防止边缘击穿,溅射掩膜可以使芯片两端电极正对,达到最大的电极正对面积,从而获得最大的电容量,电极的正对也使电场达到最均匀状态能有效的解决电极不对称造成的产品耐压不良等问题。
技术领域
本发明属于电容器技术领域,尤其涉及带有外倒角碟形结构的陶瓷介质芯片、电容器及制备方法。
背景技术
陶瓷电容器是最广泛用于各种电子设备的元件,近年来,随着电子元器件行业的快速发展,电子产品的尺寸和厚度整体趋向小型化,人们对电子设备的要求也越来越高,而击穿强度是瓷介电容器最主要的参数之一,它主要是由产品的材料本身(配方)决定的,不过也与它的电极形式以及包封材料等有关,尤其是当电极不对称时会造成电场不均匀,该缺陷会造成电容器耐压降低或耐压不良。
目前的陶瓷介质电容器大多数为圆板或圆片形,随着产品趋于小型化,尺寸缩小,对介质材料的要求较高,需要材料的介电常数K值比较高;生产实践中发现相当多的产品击穿失效不是本身介质材料特性差的原因造成的,相当一部分原因是工艺或者外形缺陷造成的,诸如印刷银电极时常出现正反两面电极不对称不同心、偏移造成上下电极对不正,银面有效面积偏小,电场分布不均匀。边缘效应使产品在高压条件下从边缘高压电离空气造成击穿的问题。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明提供一种带有外倒角碟形结构的陶瓷介质芯片、电容器及制备方法,其技术方案如下:
带有外倒角碟形结构的陶瓷介质芯片,包括陶瓷介质瓷体和设置于陶瓷介质瓷体正反面的一对电极,所述陶瓷介质瓷体的主体为圆柱形;所述陶瓷介质瓷体正反面对应于所述一对电极的覆盖区域形成对称的凹槽,所述电极是通过溅射工艺在凹槽底面形成的电极镀层;所述凹槽的顶面高于陶瓷介质瓷体的外侧边缘,使陶瓷介质瓷体的外侧边缘形成倒角结构。
较佳的,所述凹槽的内侧面为斜面,该斜面与凹槽底面的夹角大于90度。
较佳的,所述陶瓷介质瓷体的外侧边缘高于所述凹槽底面。
较佳的,所述凹槽底面以及电极平面均为圆形。
较佳的,所述电极镀层为铜电极或者铜铟铬合金电极。
较佳的,所述电极镀层的厚度为0.8-1.0微米。
较佳的,所述凹槽底面以及电极平面的中部区域形成凸起,该凸起的侧面与凹槽底面以及电极平面相应的外围区域为圆弧过渡相接。
较佳的,所述凸起的直径d为所述碟形结构的陶瓷介质芯片外径D的1/4。
本发明还提供一种陶瓷电容器,包括陶瓷介质芯片、电极引线和绝缘包封层,所述陶瓷介质芯片为带有外倒角碟形结构的陶瓷介质芯片。
本发明还提供一种带有外倒角碟形结构的陶瓷介质芯片的制备方法,包括以下步骤:
1)瓷粉选择
根据芯片外径及厚度、电极掩膜直径,计算所需瓷粉的介电常数,选择适配的瓷粉;
2)成型
在旋转压机安装碟形模具,进行瓷粉压制,成型得到生坯;
3)摆片
将生坯装入摇板中,配合摇管以及镊子将生坯连同摇板一起装入承烧板中;
4)烧成
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陕西华星电子开发有限公司,未经陕西华星电子开发有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010728516.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。