[发明专利]一种自对准后切SDB FinFET器件的制作方法

权利要求书

1.一种自对准后切SDB FinFET器件的制作方法，其特征在于，至少包括：

步骤一、提供位于基底上纵向排列的多个Fin结构，所述Fin结构上设有SiN层，所述SiN层上设有第一硬掩膜层；

步骤二、沉积覆盖所述基底上表面和所述Fin结构侧壁的薄层氧化物；

步骤三、沉积填充所述Fin结构之间并覆盖所述Fin结构顶部SiN层的氧化物介质层，之后进行退火；

步骤四、对所述氧化物介质层进行研磨，研磨至露出所述SiN层顶部为止；

步骤五、去除所述SiN层；

步骤六、对所述氧化物介质层进行回刻，回刻至露出所述Fin结构高度的30-90nm为止；

步骤七、在露出的所述Fin结构上沉积多晶硅层，之后在所述多晶硅层上形成第二硬掩膜层；接着对所述多晶硅层和所述第二硬掩膜层进行刻蚀，形成横向排列的多个多晶硅-硬掩膜结构，在所述多晶硅-硬掩膜结构的侧壁形成侧墙；

步骤八、在相邻两个所述多晶硅-硬掩膜结构之间的所述Fin结构上形成SiGe区，在与所述SiGe区相邻的两个所述多晶硅-硬掩膜结构之间的所述Fin结构上形成SiP区；之后沉积ILD层以填充所述多晶硅-硬掩膜结构之间的空间；

步骤九、研磨去除所述多晶硅层上的第二硬掩膜层，直至露出所述多晶硅层为止；

步骤十、去除所述多晶硅层，形成凹槽；

步骤十一、在去除所述多晶硅层后的凹槽内填充高K介电材料，形成金属栅极；

步骤十二、回刻所述金属栅极；

步骤十三、在回刻后的所述金属栅极上形成帽层并且进行平坦化；

步骤十四、在所述Fin结构上刻蚀形成SDB沟槽；

步骤十五、在所述SDB沟槽的顶部形成SiN塞以形成顶部密封且中空的SDB沟槽。

2.根据权利要求1所述的自对准后切SDB FinFET器件的制作方法，其特征在于：步骤二中沉积覆盖所述基底上表面和所述Fin结构侧壁的薄层氧化物的方法为原子层沉积法或原位水汽生成法。

3.根据权利要求1所述的自对准后切SDB FinFET器件的制作方法，其特征在于：步骤三中沉积所述氧化物介质的方法为流体化学气相沉积法。

4.根据权利要求1所述的自对准后切SDB FinFET器件的制作方法，其特征在于：步骤八中沉积ILD层以填充所述多晶硅-硬掩膜结构之间的空间之后，对所述ILD层进行化学机械研磨，并且研磨至露出所述第二硬掩膜层为止。

5.根据权利要求1所述的自对准后切SDB FinFET器件的制作方法，其特征在于：步骤十四中刻蚀形成SDB沟槽的方法包括：先进行光刻形成光刻胶图形，定义出所述SDB沟槽的位置和形貌，之后按照所述光刻胶图形对所述帽层、金属栅极以及位于所述金属栅极下方的Fin结构进行刻蚀，形成所述SDB沟槽。

6.根据权利要求1所述的自对准后切SDB FinFET器件的制作方法，其特征在于：步骤十五中形成所述SiN栓塞的方法包括：先沉积一层SiN层，填充所述SDB沟槽的顶部，之后进行化学机械研磨将所述SiN层表面平坦化，形成SiN塞。

7.根据权利要求1所述的自对准后切SDB FinFET器件的制作方法，其特征在于：该方法还包括步骤十六、沉积介质层，之后刻蚀所述介质层形成接触孔，所述接触孔位于所述SiGe区和SiP区的上方。

8.根据权利要求7所述的自对准后切SDB FinFET器件的制作方法，其特征在于：该方法还包括步骤十七、在所述接触孔中填充金属形成金属接触。