[发明专利]一种封堵器氧化膜的制备方法在审
| 申请号： | 202010729683.X | 申请日： | 2020-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN111893427A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 郭旭英;高力明;陈娟;胡金鹏;王舒洁;张婷 | 申请（专利权）人： | 上海形状记忆合金材料有限公司 |
| 主分类号： | C23C8/36 | 分类号： | C23C8/36;C23C8/02;C23C8/80 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 徐俊 |
| 地址： | 201612 上海市松江区漕河泾开*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 封堵 氧化 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种封堵器氧化膜的制备方法，所述封堵器的材质为镍钛合金丝，其特征在于，包括以下步骤：
第一步：将封堵器放置于等离子体表面处理机中，然后通入氧气，进行表面处理；
第二步：通入惰性气体或惰性气体与氧气的混合气体，进行表面处理，惰性气体被激发成为惰性气体的等离子体，清除氧化膜表面不均匀致密部分，使镍钛合金丝表面更加均匀致密。
2.如权利要求1所述的封堵器氧化膜的制备方法，其特征在于，所述第一步中等离子体表面处理机的工艺参数为：电功率150-350W，工作时间200-380s，气体流量50-260sccm。
3.如权利要求1所述的封堵器氧化膜的制备方法，其特征在于，所述第二步中氧气与惰性气体的体积比为(1：9)～(9：1)。
4.如权利要求1所述的封堵器氧化膜的制备方法，其特征在于，所述第二步中等离子体表面处理机的工艺参数为：电功率150-350W，工作时间200-380s，气体流量50-260sccm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海形状记忆合金材料有限公司，未经上海形状记忆合金材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010729683.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
