[发明专利]使用退化信息计算最优读取电压的存储设备

权利要求书

1.一种存储设备，包括：

第一存储器设备，包括多个存储器块和被包括在所述多个存储器块中的每一个中的多个页面；

第二存储器设备，被配置为存储第一存储器设备的第一退化信息；以及

控制器，被配置为使用第一读取电压在第一存储器设备上执行第一读取操作以获取第一退化信息，并且使用第二读取电压在第一存储器设备上执行第二读取操作，

其中，第二读取电压是使用第一存储器设备的第二退化信息计算的，第二退化信息使用第一退化信息估计，并且

第一退化信息和第二退化信息中的每一个包括所述多个页面中的每一个的误比特数。

2.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述控制器被配置为基于被包括在第一退化信息中的误比特数的增加率来改变用于计算第二退化信息的误比特数的量。

3.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述控制器被配置为基于在所述多个页面当中的目标页面中存在的不可校正纠错码(UECC)的出现的可能性来改变用于计算第二退化信息的误比特数的量，其中在所述目标页面中执行第二读取操作。

4.根据权利要求1所述的存储设备，其中，第二存储器设备包括电阻式存储器设备，其中所述电阻式存储器设备具有比第一存储器设备的数据处理单元小的数据处理单元。

5.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述控制器被配置为使用查找表来计算第二读取电压，其中第二退化信息和读取电压校正值之间的映射信息被存储在所述查找表中。

6.根据权利要求1所述的存储设备，其中，第一退化信息和第二退化信息中的每一个还包括指示所述多个页面中的每一个的退化程度的退化程度组信息。

7.根据权利要求6所述的存储设备，其中，所述多个页面中的每一个的退化程度根据在所述多个页面中的每一个中生成的误比特数被分类为多个级。

8.根据权利要求1所述的存储设备，其中，第二存储器设备包括：

第一字线和第二字线，在第一方向上延伸并且在垂直于第一方向的第三方向上彼此隔开；

位线，放置在第一字线和第二字线之间，并且在垂直于第一方向和第三方向的第二方向上延伸；

第一存储器单元，放置在第一字线和所述位线之间；以及

第二存储器单元，放置在所述位线和第二字线之间，

其中，第一存储器单元和第二存储器单元中的每一个包括：

第一电极、第二电极和第三电极；

存储元件层，放置在第一电极和第二电极之间，并且被配置为根据所述存储元件层的电阻值来存储不同的数据；以及

选择元件层，放置在第二电极和第三电极之间，并且包括双向阈值开关(OTS)材料。

9.根据权利要求1所述的存储设备，其中，用于执行第一读取操作的时段基于误比特的增加率、第一存储器设备的容量或编程/擦除(P/E)循环当中的至少一条信息而设置。

10.一种存储设备，包括：

第一存储器设备，被配置为存储由主机请求的数据；

第二存储器设备，被配置为以页面单位存储第一存储器设备的第一退化信息；以及

控制器，被配置为使用第一读取电压在第一存储器设备上执行第一读取操作，并且获取第一退化信息，

其中，第二存储器设备基于第一退化信息来估计第一存储器设备的第二退化信息，并且基于第二退化信息来计算第二读取电压，其中，第二读取电压用于根据所述主机的请求在第一存储器设备上执行第二读取操作。

11.根据权利要求10所述的存储设备，其中，第二读取电压小于第一读取电压。

12.根据权利要求10所述的存储设备，其中，第二存储器设备使用查找表来计算第二读取电压，其中第二退化信息和读取电压校正值之间的映射信息被存储在所述查找表中。