[发明专利]一种E-fuse烧写及读取电路在审
| 申请号： | 202010730874.8 | 申请日： | 2020-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN112003606A | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 郭虎;王照新;李建伟;蔡彩银 | 申请（专利权）人： | 北京炎黄国芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 | 代理人： | 张学府 |
| 地址： | 100096 北京市昌平*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 fuse 读取 电路 | ||
1.一种E-fuse烧写及读取电路，其特征在于，包括：一个二输入或非门、第一开关控制管，第二开关控制管、电流镜镜像管和锁存器；
或非门的两个输入端分别电连接第一控制信号端和第二控制信号端，所述第一控制信号端和第二控制信号端用于输出所述E-fuse烧写的控制逻辑；
在所述或非门的输出高电平时，所述第一开关控制管导通，控制所述E-fuse进行烧写；
所述第二开关控制管电连接有读写控制信号端，用于控制所述锁存器读取所述E-fuse的烧写状态；
电流镜镜像管与电流控制端电连接，用于控制流经E-fuse的电流大小。
2.如权利要求1所述的一种E-fuse烧写及读取电路，其特征在于：所述第一开关控制管为晶体管，所述或非门的输出端通过第一电阻电连接至晶体管的基极，晶体管的发射极接地；E-fuse一端接电源，另一端通过第二电阻与晶体管的集电极相连。
3.如权利要求2所述的一种E-fuse烧写及读取电路，其特征在于：所述晶体管为NPN型晶体管。
4.如权利要求1所述的一种E-fuse烧写及读取电路，其特征在于：所述第二开关控制管和电流镜镜像管为NMOS型晶体管，所述第二开关控制管的栅极与读写控制信号端电连接，漏极通过第三电阻与锁存器的输入端电连接，源极与电流镜镜像管的漏极电连接，电流镜镜像管的栅极与电流控制端电连接，源极接地。
5.如权利要求1所述的一种E-fuse烧写及读取电路，其特征在于：所述第二控制信号端还电连接至所述锁存器的复位端，用于将所述锁存器的输出复位。
6.如权利要求1所述的一种E-fuse烧写及读取电路，其特征在于：所述读写控制信号端还连接至所述锁存器的时钟输入端。
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