[发明专利]一种桃休眠芽茎尖超低温离体保存方法

权利要求书

1.一种桃休眠芽茎尖超低温离体保存方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1.预培养：取桃休眠芽茎尖，置于预培养基中进行预培养，所述预培养基为基础培养基+1.5～2.5gL^-1活性炭+1.5～2.5gL^-1抗坏血酸；

S2.玻璃化脱水处理：采用PVS3溶液对预培养后的桃休眠芽茎尖进行80～120min的脱水处理；

S3.液氮冻存：对脱水处理后的桃休眠芽茎尖进行液氮冻存处理；

S4.解冻、卸载：对液氮冻存后的桃休眠芽茎尖解冻、卸载处理；

S5.恢复培养：卸载后的桃休眠芽茎尖置于恢复培养基中进行恢复培养，所述恢复培养基为基础培养基+1.5～2.5gL^-1活性炭+1.5～2.5gL^-1抗坏血酸；

所述预培养基的基础培养基为：MS+4.5～7gL^-1琼脂+0.2～0.6ML^-1蔗糖；

所述恢复培养基的基础培养基为：MS+0.3～0.75mgL^-16-BA+0.05～0.25mgL^-1IBA+4.5～7gL^-1琼脂+20～30gL^-1蔗糖。

2.如权利要求1所述的桃休眠芽茎尖超低温离体保存方法，其特征在于，

步骤S1桃休眠芽茎尖经以下步骤获得：取带芽的桃休眠枝条，首先经酒精消毒后，再用次氯酸钠消毒，然后用无菌水洗涤后，剥取得到茎尖。

3.如权利要求2所述的桃休眠芽茎尖超低温离体保存方法，其特征在于，

所述酒精消毒时间为30s～1min，所述次氯酸钠浓度为8～10％，消毒时间为4～7min。

4.如权利要求1所述的桃休眠芽茎尖超低温离体保存方法，其特征在于，

步骤S1预培养温度为4～5℃，预培养时间为2～6d，且避光培养。

5.如权利要求1所述的桃休眠芽茎尖超低温离体保存方法，其特征在于，

步骤S3所述液氮冻存时间大于24h。

6.如权利要求1所述的桃休眠芽茎尖超低温离体保存方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S4所述解冻方法为37～40℃水浴解冻。

7.如权利要求1所述的桃休眠芽茎尖超低温离体保存方法，其特征在于，

步骤S4所述卸载采用卸载液处理20～40min，卸载过程中卸载液更换2～4次。

8.如权利要求1所述的桃休眠芽茎尖超低温离体保存方法，其特征在于，

步骤S5所述恢复培养温度为23～27℃，且首先避光培养1～2周后再进行光培养。