[发明专利]发光二极管外延片及其生长方法

权利要求书

1.一种发光二极管外延片，其特征在于，所述发光二极管外延片包括衬底(10)、缓冲层(20)、过渡层(100)、未掺杂氮化镓层(30)、N型半导体层(40)、有源层(50)和P型半导体层(60)，所述缓冲层(20)、所述过渡层(100)、所述未掺杂氮化镓层(30)、所述N型半导体层(40)、所述有源层(50)和所述P型半导体层(60)依次层叠在所述衬底(10)上；所述过渡层(100)包括复合层(110)，所述复合层(110)包括多个第一子层(111)和多个第二子层(112)，所述多个第一子层(111)和所述多个第二子层(112)交替层叠在所述缓冲层(20)上；每个所述第一子层(111)为掺杂Si的AlN层，每个所述第二子层(112)为掺杂Mg的AlN层。

2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一子层(111)中Si的掺杂浓度小于所述第二子层(112)中Mg的掺杂浓度。

3.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一子层(111)的厚度小于所述第二子层(112)的厚度。

4.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一子层(111)的数量为3层～8层，所述第二子层(112)的数量为3层～8层。

5.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述过渡层(100)还包括Al层(120)，所述Al层(120)层叠在所述复合层(110)和所述缓冲层(20)之间。

6.根据权利要求5所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述Al层(120)的生长温度大于所述复合层(110)的生长温度。

7.根据权利要求6所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述Al层(120)的生长温度为1100℃～1160℃，所述复合层(110)的生长温度为450℃～600℃。

8.一种发光二极管外延片的生长方法，其特征在于，所述生长方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上依次生长缓冲层、过渡层、未掺杂氮化镓层、N型半导体层、有源层和P型半导体层；

其中，所述过渡层包括复合层，所述复合层包括多个第一子层和多个第二子层，所述多个第一子层和所述多个第二子层交替层叠在所述缓冲层上，每个所述第一子层为掺杂Si的AlN层，每个所述第二子层为掺杂Mg的AlN层。

9.根据权利要求8所述的生长方法，其特征在于，所述过渡层采用如下方式生长：

在所述缓冲层上生长Al层；

在所述Al层上交替生长第一子层和第二子层，形成复合层；

其中，所述复合层的生长温度小于所述Al层的生长温度。

10.根据权利要求9所述的生长方法，其特征在于，所述Al层的生长温度为1100℃～1160℃，所述复合层的生长温度为450℃～600℃。