[发明专利]边缘环、载置台、基片处理装置和基片处理方法在审

申请号：	202010731343.0	申请日：	2020-07-27
公开（公告）号：	CN112309819A	公开（公告）日：	2021-02-02
发明（设计）人：	平隆志;菊地孝明	申请（专利权）人：	东京毅力科创株式会社
主分类号：	H01J37/32	分类号：	H01J37/32;H01L21/683;H01L21/67;H01L21/3065
代理公司：	北京尚诚知识产权代理有限公司 11322	代理人：	龙淳;刘芃茜
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	边缘载置台处理装置方法
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【说明书】：

本发明提供边缘环、载置台、基片处理装置和基片处理方法。本发明的边缘环包括第一边缘环和第二边缘环，该第二边缘环具有与上述第一边缘环的侧面靠近的侧面，并且能够沿上述第一边缘环的侧面在上下方向上移动，在上述第二边缘环的移动范围内，上述第一边缘环的侧面与上述第二边缘环的侧面至少部分相对。本发明能够抑制在由多个部件构成的边缘环中使一个部件相对于其他部件上下移动时产生的工艺特性的变动。

技术领域

本发明涉及边缘环、载置台、基片处理装置和基片处理方法。

背景技术

当前已有人提出一种对配置在基片周围的边缘环(也称为聚焦环)的一部分进行上下驱动的技术。例如，专利文献1提出了一种技术，将聚焦环分割为内侧聚焦环和外侧聚焦环，利用推升销(pusher pin)将内侧聚焦环或外侧聚焦环抬起。由此，能够促进等离子体对附着在所抬起的聚焦环上的沉积物的分解、除去。

边缘环会因暴露在等离子体中而发生消耗。若边缘环发生了消耗，形成在基片与边缘环的上部的鞘层会产生高低差，离子在基片边缘区域会倾斜入射，导致基片边缘区域的蚀刻形状失去垂直性，基片边缘区域的工艺特性将发生变化。为此，例如专利文献2提出了一种根据边缘环的消耗程度而在上下方向上驱动边缘环的一部分来消除鞘层的高低差的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-146743号公报

专利文献2：日本特开2018-160666号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供边缘环、载置台、基片处理装置和基片处理方法，能够抑制在由多个部件构成的边缘环中使一个部件相对于其他部件上下移动时产生的工艺特性的变动。

用于解决技术问题的技术方案

依照本发明的一个实施方式，提供一种边缘环，其包括第一边缘环和第二边缘环，该第二边缘环具有与上述第一边缘环的侧面靠近的侧面，并且能够沿上述第一边缘环的侧面在上下方向上移动，在上述第二边缘环的移动范围内，上述第一边缘环的侧面与上述第二边缘环的侧面至少部分相对。

发明效果

依照本发明的一个方案，能够抑制在由多个部件构成的边缘环中使一个部件相对于其他部件上下移动时产生的工艺特性的变动。

附图说明