[发明专利]用于输入缓冲器的分布式偏置产生

权利要求书

1.一种存储器装置，其包括：

多个存储体；

多个输入缓冲器，其经配置以缓冲用于存储在所述多个存储体中的数据；及

偏置产生及分配电路，其经配置以产生偏置且将所述偏置分配到所述多个输入缓冲器，其中所述偏置产生及分配电路包括：

偏置电压产生电路；及

多个远程电阻器堆叠，其各自定位在所述多个输入缓冲器中的对应输入缓冲器处且远离所述偏置电压产生电路，其中所述偏置是从所述多个远程电阻器堆叠输出且至少部分地基于所述偏置电压产生电路的输出。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述远程电阻器堆叠中的每一者经配置以将多个偏置提供到所述多个输入缓冲器中的相应输入缓冲器的相应多路复用器。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述远程电阻器堆叠中的每一者经配置以将多个偏置提供到各自对应于所述多个输入缓冲器中的相应输入缓冲器的多个多路复用器。

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中所述多个偏置包括126个偏置。

5.根据权利要求3所述的存储器装置，其中所述多个多路复用器中的每一者经配置以至少部分地基于模式寄存器值从所述多个偏置选择用于所述多个输入缓冲器中的相应输入缓冲器的偏置。

6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中所述存储器装置经配置以从主机处理器接收所述模式寄存器值。

7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述偏置产生及分配电路包括经配置以接收多个参考电压以产生多个初级电压的第一电阻器堆叠。

8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中所述偏置产生及分配电路包括各自经配置以接收所述多个初级电压中的一对且产生多个次级电压的多个第二电阻器堆叠。

9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中所述多个远程电阻器堆叠中的每一者经配置以接收所述多个次级电压中的一或多者。

10.根据权利要求7所述的存储器装置，其中所述偏置产生及分配电路包括经配置以在将所述多个参考电压传输到所述第一电阻器堆叠之前放大所述多个参考电压的多个放大器。

11.根据权利要求7所述的存储器装置，其中所述偏置产生及分配电路包括：

参考电压电阻器堆叠，其经配置以产生参考电压；及

多路复用器，其经配置以从经产生的所述参考电压选择所述多个参考电压。

12.根据权利要求11所述的存储器装置，其中所述多路复用器经配置以至少部分地基于从主机处理器接收的模式寄存器设置来选择所述多个参考电压。

13.一种半导体装置，其包括：

多个输入缓冲器，其经配置以缓冲用于存储在存储器装置中的数据；及

偏置产生及分配电路，其经配置以产生偏置且将所述偏置分配到多个输入缓冲器，其中所述偏置产生及分配电路包括：

偏置电压产生电路，其经配置以产生多个参考电压；

输入缓冲器偏置基本电路，其经配置以接收所述多个参考电压且使用初级电阻器堆叠产生多个初级电压；及

分配电路，其包括：

多个次级电阻器堆叠，其各自经配置以接收所述多个初级电压中的至少一个初级电压且产生多个次级电压；

多个远程电阻器堆叠，其各自定位在所述多个输入缓冲器中的对应输入缓冲器处且各自经配置以接收所述多个次级电压中的一或多个次级电压并产生多个次级电压；及

多个多路复用器，其各自经配置以接收相应多个次级电压且从所述相应多个次级电压选择用于所述多个输入缓冲器中的相应输入缓冲器的偏置。

14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中接收所述至少一个初级电压包括接收一对所述至少一个初级电压。