[发明专利]显示装置及制作显示装置的方法在审
申请号: | 202010732862.9 | 申请日: | 2020-07-27 |
公开(公告)号: | CN112310164A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 金璱基;孙升锡;尹甲洙;李禹根;郑守正;崔升夏 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艳;陈俊 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 制作 方法 | ||
本公开涉及一种显示装置及制作显示装置的方法,显示装置包括:具有显示区和焊盘区的基板;设置在基板上的栅极导电层,包括栅极导电金属层和栅极覆层,并形成在显示区中的栅极电极和在焊盘区中的被焊盘开口暴露的布线焊盘;设置在栅极导电层上的层间绝缘膜,覆盖栅极电极;在显示区中设置在层间绝缘膜上的数据导电层,包括源极电极和漏极电极;设置在数据导电层上的钝化层,覆盖源极电极和漏极电极;通路层,设置在钝化层上;像素电极,设置在通路层上,通过穿透通路层和钝化层的接触孔连接到源极电极;通路层包括在显示区中与像素电极交叠的第一区域和在显示区中与像素电极不交叠且具有比第一区域的高度小的高度的第二区域。
本申请要求于2019年7月29日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0091444号韩国专利申请的优先权,上述韩国专利申请的公开内容通过引用全部并入本文。
技术领域
本公开涉及显示装置及制作显示装置的方法。
背景技术
许多电子装置包括用于向观看者显示图像的显示装置,例如电视机(TV)、智能电话、平板个人计算机(PC)、数码相机、笔记本计算机、导航装置等。显示装置可以包括多个像素和用于驱动像素的多个像素电路。像素电路包括形成在绝缘基板上的布线和薄膜晶体管(TFT)。像素电路还可以包括设置在布线的端部处的布线焊盘。外部装置可以安装在布线焊盘上。
显示装置可以通过多个掩模工艺形成。掩模工艺对于图案化布线或绝缘膜会是有用的。然而,随着掩模工艺的数量增加,制造工艺的工艺效率会降低。另外,在掩模工艺中使用的反应性化学物质可能导致其接触的导电层的腐蚀。因此,由于暴露于反应性化学物质的布线焊盘的腐蚀,显示装置的可靠性会降低。
发明内容
本发明构思的示例性实施例提供了一种包括具有高可靠性的布线焊盘的显示装置。
本发明构思的示例性实施例还提供了一种改善工艺效率的制作显示装置的方法。
然而,本发明构思的示例性实施例不限于本文阐述的那些内容。通过参考下面提供的对本发明构思的示例性实施例的详细描述,本发明构思的上面和其他实施例对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加显而易见。
根据本发明构思的示例性实施例,一种显示装置包括:具有显示区和焊盘区的基板;栅极导电层,设置在所述基板上,所述栅极导电层包括栅极导电金属层和设置在所述栅极导电金属层上的栅极覆层,所述栅极导电层形成设置在所述显示区中的栅极电极和设置在所述焊盘区中的布线焊盘;层间绝缘膜,设置在所述栅极导电层上并覆盖所述栅极电极,所述布线焊盘被焊盘开口暴露;数据导电层,在所述显示区中设置在所述层间绝缘膜上,所述数据导电层包括源极电极和漏极电极;钝化层,设置在所述数据导电层上并覆盖所述源极电极和所述漏极电极;通路层,设置在所述钝化层上;以及像素电极,设置在所述通路层上,所述像素电极通过穿透所述通路层和所述钝化层的接触孔连接到所述源极电极;所述通路层包括在所述显示区中与所述像素电极交叠的第一区域和在所述显示区中与所述像素电极不交叠且具有比所述第一区域的高度小的高度的第二区域。
在示例性实施例中,所述焊盘开口由所述层间绝缘膜和所述通路层形成,并且形成所述焊盘开口的内侧壁的所述层间绝缘膜和所述通路层彼此对齐。
在示例性实施例中,所述钝化层不设置在所述焊盘区中。
在示例性实施例中,在所述焊盘区中,所述通路层直接设置在所述层间绝缘膜上。
在示例性实施例中,所述通路层还包括设置在所述焊盘区中的第三区域,并且所述第三区域具有比所述第二区域的高度小的高度。
在示例性实施例中,所述层间绝缘膜包括设置在所述显示区中的第一部分和设置在所述焊盘区中并具有比所述第一部分的厚度小的厚度的第二部分,并且所述第二部分与所述通路层的所述第三区域交叠。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的