[发明专利]栅极单元及其制备方法、阵列基板的制备方法、显示机构

权利要求书

1.一种栅极单元的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在衬底上设置导电层；

在所述导电层远离所述衬底的一侧形成光刻胶层；

对所述光刻胶层进行曝光处理，再经显影而在所述光刻胶层上形成贯通所述光刻胶层的凹槽，形成具有图案的所述光刻胶层；及

在具有图案的所述光刻胶层上电化学沉积功能材料，然后去除所述光刻胶层，得到形成有图案层的所述导电层，得到栅极单元；

在具有图案的所述光刻胶层上电化学沉积功能材料的步骤包括：第一电解液含有第一离子，将具有图案的所述光刻胶层置于所述第一电解液并在第一还原电位下进行电化学沉积，以使所述第一离子还原而沉积在具有图案的所述光刻胶层上以形成金属层；当所述第一电解液中的所述第一离子降低至0mol/L时，于所述第一电解液中添加第二离子以得到第二电解液并调整电位至第二还原电位继续进行电化学沉积，以使所述第二离子还原，而沉积在所述金属层上以形成阻挡层；

所述第一还原电位为0.55V，所述第二还原电位为-0.7V，所述金属层的厚度为3500A，所述阻挡层的厚度为400A，所述第一电解液由如下组分构成：180g/L的Cu²⁺、700g/L的酸、0.65mL/L的光亮剂、80mg/L的氯离子、0.4mL/L的整平剂及0.8mL/L的添加剂，酸为H₃PO₄，光亮剂为丙烯磺酸钠，可溶性氯盐为氯化镁，整平剂为聚乙烯醇，于所述第一电解液中添加所述第二离子以使所述第二离子的初始浓度为60g/L，所述第二离子为MoO₄²⁺，所述电化学沉积温度为10℃。

2.根据权利要求1所述的栅极单元的制备方法，其特征在于，所述光刻胶层的厚度为1.5μm～2.5μm。

3.根据权利要求1所述的栅极单元的制备方法，其特征在于，所述导电层的厚度为300A～800A。

4.根据权利要求1或3所述的栅极单元的制备方法，其特征在于，所述导电层为金属导电层。

5.根据权利要求1所述的栅极单元的制备方法，其特征在于，所述衬底的厚度为0.3mm～1.0mm。

6.根据权利要求1所述的栅极单元的制备方法，其特征在于，所述光刻胶层的厚度为2.2μm，所述导电层为钼层，厚度为500A，所述衬底的厚度为0.7mm。

7.根据权利要求1或6所述的栅极单元的制备方法，其特征在于，采用掩膜板对所述光刻胶层远离所述导电层的一侧进行曝光处理，再经显影，以使所述光刻胶层设置贯穿所述光刻胶层的凹槽。

8.一种栅极单元，其特征在于，由权利要求1～7任一项所述的栅极单元的制备方法制备得到。