[发明专利]灵敏放大器、存储器和灵敏放大器的控制方法有效

专利信息
申请号: 202010733146.2 申请日: 2020-07-27
公开(公告)号: CN111863051B 公开(公告)日: 2022-11-22
发明(设计)人: 彭春雨;王子健;卢文娟;吴秀龙;何军;李新;应战;曹堪宇;蔺智挺;陈军宁 申请(专利权)人: 安徽大学;长鑫存储技术有限公司
主分类号: G11C7/08 分类号: G11C7/08;G11C7/06
代理公司: 北京律智知识产权代理有限公司 11438 代理人: 王辉;阚梓瑄
地址: 230601 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 灵敏 放大器 存储器 控制 方法
【权利要求书】:

1.一种灵敏放大器,其特征在于,包括:

放大模块,被配置为当所述灵敏放大器处于放大阶段时,对位线或参考位线传输的电压进行放大;

第一开关模块,被配置为当所述灵敏放大器针对所述位线进行读操作且所述灵敏放大器处于放大阶段时,控制所述放大模块与所述参考位线断开;

所述放大模块包括:

第一PMOS管,所述第一PMOS管的漏极与第一节点连接;

第一NMOS管,所述第一NMOS管的漏极与所述第一节点连接,所述第一NMOS管的栅极与所述第一PMOS管的栅极连接;

第二PMOS管,所述第二PMOS管的漏极与第二节点连接;

第二NMOS管,所述第二NMOS管的漏极与所述第二节点连接,所述第二NMOS管的栅极与所述第二PMOS管的栅极连接;

第三PMOS管,所述第三PMOS管的漏极与所述第一PMOS管的源极、所述第二PMOS管的源极连接,所述第三PMOS管的栅极用于接收第二控制信号,所述第三PMOS管的源极用于接收电源电压;

第三NMOS管,所述第三NMOS管的漏极与所述第一NMOS管的源极、所述第二NMOS管的源极连接,所述第三NMOS管的栅极用于接收第一控制信号,所述第三NMOS管的源极接地;

其中,所述第一PMOS管的栅极与所述第二节点连接,所述第二PMOS管的栅极与所述第一节点连接。

2.根据权利要求1所述的灵敏放大器,其特征在于,所述第一开关模块被配置为当所述灵敏放大器处于放大阶段时,基于数据来源控制信号控制所述放大模块与所述参考位线断开。

3.根据权利要求2所述的灵敏放大器,其特征在于,所述第一开关模块包括:

第一开关单元,所述第一开关单元的第一控制端用于接收所述数据来源控制信号,所述第一开关单元的第一端通过第一节点与所述放大模块连接,所述第一开关单元的第二端与所述参考位线连接。

4.根据权利要求3所述的灵敏放大器,其特征在于,所述第一开关模块基于所述数据来源控制信号控制所述放大模块与所述参考位线断开,包括:

所述第一开关模块被配置为响应所述数据来源控制信号和第一控制信号,控制所述放大模块与所述参考位线断开;

其中,所述第一开关单元还包括第二控制端,用于接收所述第一控制信号。

5.根据权利要求1所述的灵敏放大器,其特征在于,所述灵敏放大器还包括:

第二开关模块,被配置为当所述灵敏放大器针对所述参考位线进行读操作且所述灵敏放大器处于放大阶段时,控制所述放大模块与所述位线断开。

6.根据权利要求5所述的灵敏放大器,其特征在于,所述第二开关模块包括:

反相器,所述反相器的输入端用于接收数据来源控制信号;

第二开关单元,所述第二开关单元的第一控制端与所述反相器的输出端连接,所述第二开关单元的第一端通过第二节点与所述放大模块连接,所述第二开关单元的第二端与所述位线连接。

7.根据权利要求6所述的灵敏放大器,其特征在于,所述第二开关单元还包括:

第二控制端,用于接收第一控制信号。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的灵敏放大器,其特征在于,所述灵敏放大器还包括:

放电控制模块,被配置为在所述灵敏放大器针对所述位线进行读1操作后,对所述灵敏放大器进行放电。

9.根据权利要求8所述的灵敏放大器,其特征在于,所述放电控制模块包括:

第一放电单元,被配置为响应放电控制信号,将所述第一NMOS管的栅极与所述第一节点连接;

第二放电单元,被配置为响应放电控制信号,将所述第二NMOS管的栅极与所述第二节点连接。

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