[发明专利]多跨阻恒定带宽超低噪声TIA有效
| 申请号： | 202010734263.0 | 申请日： | 2020-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN111835293B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 李景虎;于建海;涂航辉 | 申请（专利权）人： | 厦门亿芯源半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 于歌 |
| 地址： | 361000 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多跨阻 恒定 带宽 噪声 tia | ||
1.多跨阻恒定带宽超低噪声TIA，其特征在于，包括频率补偿结构，所述频率补偿结构置于运算放大器-A内部；在跨阻RF1两端并联电容C1，在跨阻RF2两端并联电容C2，调整电容C1和C2的大小以满足开关S1闭合前和闭合后TIA带宽恒定；
所述频率补偿结构包括PMOS管MP1～MP4、NMOS管MN1～MN3、电阻R4～R5和电容C6～C7；
PMOS管MP3的栅极和PMOS管MP4的栅极同时连接偏置电压输入端VB，PMOS管MP3的源极和PMOS管MP4的源极同时连接电源VCC；
PMOS管MP1的栅极连接信号输入端VN，PMOS管MP1的源极和PMOS管MP2的源极同时连接PMOS管MP3的漏极；PMOS管MP1的漏极同时连接NMOS管MN1的漏极、栅极和NMOS管MN2的栅极；NMOS管MN1～MN3的源极同时连接GND；
PMOS管MP2的栅极连接信号输入端VP，PMOS管MP2的漏极同时与NMOS管MN2的漏极、开关S2的一端、电容C6的一端和NMOS管MN3的栅极相连，开关S2的另一端与电容C7的一端相连，电容C7的另一端与电阻R5的一端相连，电容C6的另一端与电阻R4的一端相连，PMOS管MP4的漏极、NMOS管MN3的漏极、电阻R4的另一端和电阻R5的另一端同时连接输出端OUTP；
开关S2与开关S1同步动作。
2.根据权利要求1所述多跨阻恒定带宽超低噪声TIA，其特征在于，在跨阻RF1两端进一步并联电路结构：电容C3和电阻R1串联后并联在跨阻RF1两端；
在跨阻RF2两端进一步并联电路结构：电阻R3和电容C5串联后并联在电容C4的两端，再与电阻R2串联后并联在跨阻RF2两端；
通过调整电容C1～C5的大小来满足开关S1闭合前和闭合后TIA带宽恒定。
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