[发明专利]一种硅异质结太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种硅异质结太阳能电池，其特征在于，包括：

硅基底；所述硅基底具有绒面；

形成于所述绒面上的透明导电层；

形成于所述透明导电层上的纳米导电层；

以及形成于所述纳米导电层上的电极；

其中，所述纳米导电层采用溅射工艺制备，形成纳米导电颗粒，纳米导电层的厚度为5nm～100nm；

所述电极采用丝网印刷的方式制备。

2.根据权利要求1所述硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述溅射工艺为磁控溅射工艺或反应离子溅射工艺。

3.根据权利要求2所述硅异质结太阳能电池，其特征在于，当所述溅射工艺为磁控溅射工艺时，所述磁控溅射工艺的参数为：工作气体流量70sccm～230sccm，功率密度1kW/m～3kW/m，工作温度30℃～120℃；当所述溅射工艺为反应离子溅射工艺时，所述反应离子溅射工艺的参数为：工作气体Ar和O₂的流量比为3：9，离子源电流20A～40A，工作温度50℃～200℃。

4.根据权利要求1所述硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述纳米导电层所包含的纳米导电颗粒的粒径为10nm～70nm，所述纳米导电颗粒的粒径小于所述电极包含的导电材料粒径。

5.根据权利要求1所述硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述纳米导电层的导电材料与所述电极的导电材料不同；或，

所述纳米导电层的导电材料与所述电极的导电材料相同。

6.根据权利要求1～5任一项所述硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述纳米导电层为银纳米导电层、铝纳米导电层、铜纳米导电层中的一种；和/或，

所述电极为银电极、铝电极、铜电极中的一种。

7.根据权利要求1～5任一项所述硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述纳米导电层为与所述电极图案匹配的图形化纳米导电层。

8.根据权利要求1～5任一项所述硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述绒面为金字塔绒面，所述金字塔绒面的尺寸为0.5μm～3μm。

9.根据权利要求1～5任一项所述硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述硅基底包括第一导电类型的晶硅基底，其制绒后绒面尺寸在0.5μm-3μm之间；

第一导电类型的晶硅基底的正反面依次设置有本征非晶硅层；

正面本征非晶硅层上依次设置第一导电类型的非晶硅或微晶硅层、透明导电层；

背面本征非晶硅层上依次设置第二导电类型的非晶硅或微晶硅层、透明导电层；

第一、二导电类型不同，分别是n型或p型导电类型的一种。

10.一种权利要求1～9任一项所述硅异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：

提供一硅基底；所述硅基底具有绒面；

在绒面结构的所述硅基底上形成透明导电层；

采用溅射的方法，在所述透明导电层上形成纳米导电层，所述纳米导电层含有纳米导电颗粒；

采用丝网印刷的方法，在所述纳米导电层上形成电极。

11.根据权利要求10所述硅异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于，在所述透明导电层上形成纳米导电层包括：

在掩膜板的保护下，在所述透明导电层上形成与所述电极图案匹配的图形化纳米导电层。