[发明专利]一种沟槽型SiC JBS二极管器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202010734362.9 | 申请日： | 2020-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN111799338B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 袁昊;刘延聪;何艳静;胡彦飞;宋庆文;汤晓燕;张玉明 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/868;H01L21/329;H01L29/06;H01L29/16 |
| 代理公司： | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人： | 徐云侠 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 sic jbs 二极管 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种沟槽型SiC JBS二极管器件，包括自下而上依次设置的阴极(5)、N+衬底(4)、N-外延层(3)、P+注入区(2)和阳极(1)，其特征在于：
两个所述P+注入区(2)之间设置有沟槽结构(7)，所述沟槽结构(7)位于两个P+注入区(2)之间的肖特基接触界面下方，所述沟槽结构(7)的深度小于所述P+注入区(2)的深度；
所述沟槽结构(7)两侧与所述P+注入区(2)之间分别设有N+掺杂区(6)，所述N+掺杂区(6)的深度小于所述沟槽结构(7)的深度；
所述沟槽型SiC JBS二极管器件的制备方法，包括以下步骤：
S1、在N+衬底(4)上通过外延生长形成N-外延层(3)；
S2、在N-外延层(3)上制备SiO2掩模层，用光刻刻蚀工艺形成掩模图形，通过Al离子注入手段形成P+注入区(2)；
S3、清洗掉注入掩模层，在表面形成新的掩模层，用光刻刻蚀工艺形成掩模图形，通过P离子注入手段形成N+掺杂区(6)；
S4、清洗掉注入掩模层，在表面形成新的掩膜层，用光刻刻蚀工艺形成掩模图形，再通过ICP刻蚀的方法形成沟槽结构(7)；
S5、在N-外延层(3)表面进行碳膜保护，通过高温退火对注入离子进行激活，通过氧化方法去除碳膜；
S6、淀积SiO2形成隔离介质，光刻刻蚀开出P+注入区(2)肖特基接触区域，在外延片正面和背面淀积肖特基接触金属，同时在正面沟槽结构(7)刻蚀形成肖特基接触窗口，淀积肖特基金属，通过光刻刻蚀工艺形成电极图形，并通过低温快速热退火工艺在沟槽结构(7)形成肖特基接触；
S7、在外延片正面和背面通过淀积金属工艺形成厚电极。
2.根据权利要求1所述的沟槽型SiC JBS二极管器件，其特征在于，所述沟槽结构(7)的深度为0.5～1μm，所述沟槽结构(7)的深度与所述P+注入区(2)的深度差值为0.1～3μm，宽度为1～3μm。
3.根据权利要求1所述的沟槽型SiC JBS二极管器件，其特征在于，所述沟槽结构(7)边缘与两个P+注入区(2)的间距均为0.2～0.8μm。
4.根据权利要求1所述的沟槽型SiC JBS二极管器件，其特征在于，所述N+掺杂区(6)的深度为0.2～0.4μm。
5.根据权利要求1所述的沟槽型SiC JBS二极管器件，其特征在于，两个所述N+掺杂区(6)的两端分别与相邻的P+注入区(2)和沟槽结构(7)边缘相连。
6.根据权利要求1所述的沟槽型SiC JBS二极管器件，其特征在于，所述N+掺杂区(6)的浓度为5×1016atom/cm3～1×1017atom/cm3。
7.根据权利要求1所述的沟槽型SiC JBS二极管器件，其特征在于，与所述肖特基接触界面接触的金属为Ti或Ni。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010734362.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种稻稻虾综合种养方法
- 下一篇：一种SiC MPS二极管器件及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
