[发明专利]晶体振荡器使能电路有效
申请号: | 202010734476.3 | 申请日: | 2020-07-27 |
公开(公告)号: | CN111786655B | 公开(公告)日: | 2023-06-13 |
发明(设计)人: | 方修成;王占奎;刘兰坤;刘晓红;陈中平;牛占鲁;孟昭建;李增路;田树蕾;李云霞;闫敏芳;张宁 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
主分类号: | H03H9/17 | 分类号: | H03H9/17;H03H9/02 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 付晓娣 |
地址: | 050051 *** | 国省代码: | 河北;13 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 晶体振荡器 电路 | ||
1.一种晶体振荡器使能电路,其特征在于,包括:电位控制模块和电阻控制模块;
所述电位控制模块适于与晶体振荡器的使能端连接,还与所述晶体振荡器的使能输出控制端连接,用于当所述使能端接低电位时,使得所述使能输出控制端为高电位,或,用于当所述使能端悬空时,使得所述使能输出控制端为低电位;
所述电阻控制模块,适于与所述使能端连接,还与所述使能输出控制端连接,用于当所述使能端为低电位时,所述电阻控制模块对应的阻值为第一预设阻值,或用于当所述使能端悬空时,所述电阻控制模块对应的阻值为第二预设阻值,其中,所述第一预设阻值大于所述第二预设阻值,当所述使能端为低电位时,所述使能输出控制端将所述晶体振荡器置于待机工作状态,当所述使能端悬空时,所述使能输出控制端将所述晶体振荡器置于开机工作状态。
2.根据权利要求1所述的晶体振荡器使能电路,其特征在于,所述电位控制模块包括反相器,所述反相器的第一端与所述使能端连接,所述反相器的第二端与所述使能输出控制端连接。
3.根据权利要求1所述的晶体振荡器使能电路,其特征在于,所述电阻控制模块包括第一电阻、第二电阻和开关,所述开关用于控制所述第二电阻的通断;
所述第一电阻的第一端与所述使能端连接,所述第一电阻的第二端与供电电压端连接;
所述第二电阻的第一端与所述使能端连接,所述第二电阻的第二端与所述开关的第一端连接;
所述开关的第二端与所述供电电压端连接,所述开关的第三端与所述使能输出控制端连接。
4.根据权利要求3所述的晶体振荡器使能电路,其特征在于,所述开关为PMOS开关。
5.根据权利要求3或4所述的晶体振荡器使能电路,其特征在于,所述第一电阻大于所述第二电阻。
6.根据权利要求4所述的晶体振荡器使能电路,其特征在于,所述PMOS开关的第三端为栅极。
7.根据权利要求6所述的晶体振荡器使能电路,其特征在于,当所述使能输出控制端为高电位时,所述PMOS开关关闭,所述第二电阻断开。
8.根据权利要求6所述的晶体振荡器使能电路,其特征在于,当所述使能输出控制端为低电位时,所述PMOS开关打开,所述第二电阻接通。
9.根据权利要求3所述的晶体振荡器使能电路,其特征在于,所述第一电阻的阻值为1MΩ,所述第二电阻的阻值为100kΩ。
10.根据权利要求7或8所述的晶体振荡器使能电路,其特征在于,当所述第二电阻断开时,所述第一预设阻值为所述第一电阻的阻值,当所述第二电阻接通时,所述第二预设阻值为所述第一电阻和所述第二电阻并联后得到的阻值。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十三研究所,未经中国电子科技集团公司第十三研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010734476.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。