[发明专利]波导锗探测器制作工艺中选择性锗外延的前处理方法

权利要求书

1.一种波导锗探测器制作工艺中选择性锗外延的前处理方法,其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1、在硅衬底上生长一层SiO₂掩膜；

步骤S2、在SiO₂掩膜上光刻出硅槽区域，并在硅槽区域向下刻蚀出硅槽；

步骤S3、去除硅衬底上的SiO₂掩膜，并在硅衬底上再次生长一层SiO₂掩膜；

步骤S4、在再次生长的SiO₂掩膜上光刻出硅槽区域及硅槽外沿的区域，刻蚀去除光刻区域的SiO₂掩膜，在硅槽边沿形成硅台阶；所述硅台阶的宽度为0.5～5μm；

步骤S5、在硅槽中外延生长纯锗层。

2.根据权利要求1所述的波导锗探测器制作工艺中选择性锗外延的前处理方法，其特征在于，所述硅衬底为普通硅片或SOI基片。

3.根据权利要求1所述的波导锗探测器制作工艺中选择性锗外延的前处理方法，其特征在于，在所述步骤S2中，刻蚀方法为干法刻蚀、湿法刻蚀或干湿法混合刻蚀。

4.根据权利要求1所述的波导锗探测器制作工艺中选择性锗外延的前处理方法，其特征在于，在所述步骤S1和步骤S3中，生长SiO₂掩膜的方法为热氧化、PECVD或LPCVD。

5.根据权利要求1所述的波导锗探测器制作工艺中选择性锗外延的前处理方法，其特征在于，在所述步骤S1和步骤S3中，生长的SiO₂掩膜的厚度为100～1000nm。

6.根据权利要求1所述的波导锗探测器制作工艺中选择性锗外延的前处理方法，其特征在于，在所述步骤S4中，刻蚀方法为湿法腐蚀。