[发明专利]GLSI多层布线高价金属在CMP中的应用

权利要求书

1.一种GLSI多层布线高价金属在CMP中的应用，其特征在于，CMP所用抛光液中的氧化剂为与布线金属种类相同的布线高价金属化合物；所用抛光液为碱性抛光液；所述布线高价金属化合物为柠檬酸铜、柠檬酸螯合铜、甘氨酸铜、[Co(NH₃)₆]Cl₃、三氯化钴、三氟化钴、柠檬酸钴、三水氯化钌、十二羰基三钌、三氧化钌或四氧化钌。

2.根据权利要求1所述的GLSI多层布线高价金属在CMP中的应用，其特征在于，所述抛光液中含有与布线金属种类相同的布线高价金属化合物0.1-60g/L。

3.根据权利要求2所述的GLSI多层布线高价金属在CMP中的应用，其特征在于，所述抛光液中还包括螯合剂0.1-60g/L。

4.根据权利要求1所述的GLSI多层布线高价金属在CMP中的应用，其特征在于，所述抛光液由磨料、柠檬酸铜、FA/O活性剂、JFC、硅树脂及去离子水组成。

5.根据权利要求4所述的GLSI多层布线高价金属在CMP中的应用，其特征在于，所述磨料采用粒径为15nm的硅溶胶，用量为0.1wt％；柠檬酸铜为0.5g/L；FA/O活性剂为0.1me/L；JFC为0.1me/L；硅树脂为1wt‰，余量的去离子水。

6.根据权利要求1所述的GLSI多层布线高价金属在CMP中的应用，其特征在于，所述抛光液由磨料、FA/O螯合剂、柠檬酸螯合铜、FA/O活性剂、JFC、消泡剂GPE及去离子水组成。

7.根据权利要求6所述的GLSI多层布线高价金属在CMP中的应用，其特征在于，所述磨料采用粒径为80-100nm的硅溶胶，浓度为20wt％；FA/O螯合剂30g/L，柠檬酸螯合铜30g/L，FA/O活性剂30me/L，JFC 30me/L，消泡剂GPE 10wt‰，去离子水余量。

8.根据权利要求1所述的GLSI多层布线高价金属在CMP中的应用，其特征在于，所述抛光液由磨料、FA/O螯合剂、活性剂、十二羰基三钌与去离子水配置而成，所述磨料选用粒径为40nm硅溶胶10Wt％，FA/O螯合剂5me/L，活性剂50me/L，十二羰基三钌l5g/L，去离子水余量。

9.根据权利要求1所述的GLSI多层布线高价金属在CMP中的应用，其特征在于，所述抛光液由硅溶胶、三氯钴氨络合物、FA/O活性剂、FA/O螯合剂及去离子水配置成；其中，硅溶胶粒径60nm，浓度5Wt％，三氯钴氨络合物15me/L；FA/O活性剂50me/L；FA/O螯合剂10me/L,去离子水余量。