[发明专利]内存颗粒访问控制芯片、内存颗粒的访问控制系统及方法有效
申请号: | 202010735690.0 | 申请日: | 2020-07-28 |
公开(公告)号: | CN111949213B | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 张喆鹏;迟志刚 | 申请(专利权)人: | 新华三半导体技术有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610000 四川省成都市中国(四川)自由*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 内存 颗粒 访问 控制 芯片 控制系统 方法 | ||
本申请提供了一种内存颗粒访问控制芯片、内存颗粒的访问控制系统及方法,所述芯片包括至少两个存储控制器和映射逻辑控制器,映射逻辑控制器分别与各个存储控制器相连,以及映射逻辑控制器还与各个内存颗粒相连,其中:映射逻辑控制器,用于配置各个存储控制器与各个内存颗粒的连接关系;每个存储控制器,用于在需要访问内存颗粒时,向映射逻辑控制器发送内存颗粒访问请求;映射逻辑控制器,用于在接收到该存储控制器发送的内存颗粒访问请求时,根据为该存储控制器配置的连接关系,对为该存储控制器配置的连接关系中的内存颗粒执行所述内存颗粒访问请求所请求的操作。由此,实现了存储控制器对各个内存颗粒的灵活访问。
技术领域
本申请涉及集成电路技术领域,尤其涉及一种内存颗粒访问控制芯片、内存颗粒的访问控制系统及方法。
背景技术
现代计算机系统中,动态存储器的容量越来越大,所需的内存颗粒也越来越多。而单颗粒内存的容量也是随着工艺进步逐渐增长。在计算机系统中,存储器的管理需要存储控制器,比如常见的各种双倍速率同步动态随机存储器(Double Data Rate SynchronousDynamic Random Access Memory,DDR SDRAM)的控制器,简称DDR控制器,还有近几年推出的高带宽存储器(High Bandwidth Memory,HBM)的控制器,简称HBM控制器等。众所周知存储器的效率将会极大的影响系统性能,即,通过有效提高存储器的利用率就能极大的改善计算机系统的性能。
而双通道存储控制器的出现,相比如单通道存储器在同一时间只能读,或者只能写,有效提高了存储器的利用率。双通道存储器是指内存的读、写使用不同的通道,可以同时读和写,内存带宽翻倍。为实现系统性能的最大化,三通道、多通道的内存管理技术均有助于提升存储器的利用率。
然而随着多通道技术的出现,单个控制器无法满足多通道的应用需求,即,多个通道可能需要多个存储控制器进行控制及管理,但是现有技术中多个控制器是独立工作的,每个控制器仅能控制1个通道及1个通道内的内存颗粒,灵活性较差。
因此,如何实现内存颗粒的灵活访问,及存储控制器的协同工作是值得考虑的技术问题之一。
发明内容
有鉴于此,本申请提供一种内存颗粒访问控制芯片、内存颗粒的访问控制系统及方法,用以实现内存颗粒的灵活访问,及存储控制器的协同工作。
具体地,本申请是通过如下技术方案实现的:
根据本申请的第一方面,提供一种内存颗粒访问控制芯片,包括至少两个存储控制器和映射逻辑控制器,所述映射逻辑控制器分别与各个存储控制器相连,以及所述映射逻辑控制器还与各个内存颗粒相连,其中:
所述映射逻辑控制器,用于配置各个存储控制器与各个内存颗粒的连接关系;
每个存储控制器,用于在需要访问内存颗粒时,向所述映射逻辑控制器发送内存颗粒访问请求;
所述映射逻辑控制器,用于在接收到该存储控制器发送的内存颗粒访问请求时,根据为该存储控制器配置的连接关系,对为该存储控制器配置的连接关系中的内存颗粒执行所述内存颗粒访问请求所请求的操作。
根据本申请的第二方面,提供一种内存颗粒的访问控制系统,包括多个本申请第一方面提供的内存颗粒访问控制芯片和多个内存颗粒,各个内存颗粒访问控制芯片中的映射逻辑控制器相连,且,各个映射逻辑控制器连接的内存颗粒不同;其中:
每个映射逻辑控制器,用于配置与其连接的存储控制器与各个内存颗粒之间的连接关系;
任一内存颗粒访问控制芯片中的存储控制器,用于在需要访问内存颗粒时,向该内存颗粒访问控制芯片中的映射逻辑控制器发送内存颗粒访问请求;
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