[发明专利]提取电子器件氧化层中正电荷的方法

权利要求书

1.一种提取电子器件氧化层中正电荷的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S100、选择P型半导体材料制备成衬底；

S200、在所述衬底上制备N型外延层；

S300、在所述外延层上形成P⁺源区、P⁺漏区和N⁺阱区；

S400、在所述外延层上生长氧化层；

S500、对所述氧化层进行刻蚀，漏出所述阱区和衬底，在未刻蚀部分制备电极，形成P⁺源极、P⁺漏极和栅极；

S600、将所述源极和漏极接地，栅氧电场保持负偏置，阱区正偏置，衬底正偏置，检测栅极处的空穴电流；

S700、在偏置过程中，检测平带电压变化，提取氧化物层俘获正电荷的状态。

2.根据权利要求1所述的提取电子器件氧化层中正电荷的方法，其特征在于，所述步骤S600中，栅氧电场保持负偏置，强度为-0.1MV/cm至-8MV/cm。

3.根据权利要求2所述的提取电子器件氧化层中正电荷的方法，其特征在于，所述步骤S600中，阱区正偏置，电压为1V至10V，衬底正偏置，电压为1.2V至11V，保持衬底与阱区的偏置电压差大于等于0.2V。

4.根据权利要求1所述的提取电子器件氧化层中正电荷的方法，其特征在于，所述步骤S100中，所述半导体材料的掺杂浓度大于1e18cm^-3。

5.根据权利要求4所述的提取电子器件氧化层中正电荷的方法，其特征在于，所述步骤S200中，所述外延层的掺杂浓度小于1e18cm^-3。

6.根据权利要求5所述的提取电子器件氧化层中正电荷的方法，其特征在于，所述步骤S300中，所述P⁺源区、所述P⁺漏区和所述N⁺阱区的掺杂浓度相等，且所述P⁺源区、所述P⁺漏区和所述N⁺阱区的掺杂浓度为所述外延层掺杂浓度的10倍以上。

7.根据权利要求1所述的提取电子器件氧化层中正电荷的方法，其特征在于，所述步骤S100中，所述衬底的厚度为1μm至100μm。

8.根据权利要求7所述的提取电子器件氧化层中正电荷的方法，其特征在于，所述步骤S200中，所述外延层的厚度为5μm至50μm。

9.根据权利要求8所述的提取电子器件氧化层中正电荷的方法，其特征在于，所述步骤S300中，所述P⁺源区的沟道长度为1μm至100μm，沟道宽度为10μm至1000μm，所述P⁺漏区的沟道长度为1μm至100μm，沟道宽度为10μm至1000μm，所述N⁺阱区与所述P⁺漏区之间的距离为1μm至100μm。

10.根据权利要求9所述的提取电子器件氧化层中正电荷的方法，其特征在于，所述步骤S400中，所述氧化物层的厚度为2nm至1000nm。