[发明专利]一种深能级瞬态谱测试方法、装置及存储介质

权利要求书

1.一种深能级瞬态谱测试方法，其特征在于，用于在深能级瞬态谱测试系统中进行测试，所述深能级瞬态谱测试系统包括脉冲同步信号发生电路(1)、运放电路(2)以及数据处理电路(3)，其中，所述脉冲同步信号发生电路(1)、所述运放电路(2)分别连接至待测的半导体材料(4)，所述数据处理电路(3)连接至所述运放电路(2)，所述深能级瞬态谱测试方法包括：

对所述半导体材料(4)施加连续的脉冲同步信号；

获取所述半导体材料(4)的瞬态电容变化波形；

根据所述瞬态电容变化波形进行多次指数拟合，确定所述半导体材料(4)的指数深能级瞬态谱；

其中，所述根据所述瞬态电容变化波形进行多次指数拟合，确定所述半导体材料(4)的指数深能级瞬态谱包括：

选择多组采样组，所述采样组包括在所述瞬态电容变化波形中等间隔选取的连续多个采样点，每个所述采样组的初始采样点各不相同；

针对每个所述采样组，获取其中的每个所述采样点在所述瞬态电容变化波形中对应的瞬态电容量；

根据每个所述采样组中各个所述采样点的所述瞬态电容量，确定每个所述采样组对应的指数拟合系数；

根据每个所述采样组对应的所述指数拟合系数，确定最终的最佳拟合指数；

其中，所述根据每个所述采样组中各个所述采样点的所述瞬态电容量，确定每个所述采样组对应的指数拟合系数包括：

在所述采样组中，将每个所述采样点对应的所述瞬态电容量表示为指数表达式：

其中，t_n表示所述采样点对应的采样时刻，C_n表示所述采样点在对应的t_n时刻的瞬态电容量，A表示线性幅度系数，B表示指数系数，D表示线性偏移系数；

根据所述指数表达式，确定每个所述采样组对应的所述指数拟合系数。

2.如权利要求1所述的深能级瞬态谱测试方法，其特征在于，所述指数拟合系数包括所述指数系数B，所述指数系数B用于表示所述瞬态电容变化波形的变化率，所述根据所述指数表达式，确定每个所述采样组对应的所述指数拟合系数包括：

根据对任意相邻两个所述采样点的所述指数表达式进行差分运算确定电容差分量表达式；

根据所述电容差分量表达式确定所述指数系数B。

3.如权利要求2所述的深能级瞬态谱测试方法，其特征在于，所述采样组包括连续的第一采样点、第二采样点、第三采样点以及第四采样点，所述根据所述电容差分量表达式确定所述指数系数B包括：

根据第一电容差分量表达式和第二电容差分量表达式之商，确定所述指数系数B，其中，根据所述第一采样点的所述瞬态电容量和所述第二采样点的所述瞬态电容量之差确定所述第一电容差分量表达式，根据所述第三采样点的所述瞬态电容量和所述第四采样点的所述瞬态电容量之差确定所述第二电容差分量表达式。

4.如权利要求1所述的深能级瞬态谱测试方法，其特征在于，所述指数拟合系数包括所述线性幅度系数A，所述线性幅度系数A用于表示所述瞬态电容变化波形的线性变化率，所述根据所述指数表达式，确定每个所述采样组对应的所述指数拟合系数包括：

将所述指数系数B带入任意电容差分量表达式，确定所述线性幅度系数A，其中，所述指数系数B根据所述电容差分量表达式确定，所述电容差分量表达式通过对任意相邻两个所述采样点的所述指数表达式进行差分运算确定。

5.如权利要求1所述的深能级瞬态谱测试方法，其特征在于，所述指数拟合系数包括所述线性偏移系数D，所述线性偏移系数D用于表示所述瞬态电容变化波形的峰值偏差，所述根据所述指数表达式，确定每个所述采样组对应的所述指数拟合系数包括：

将所述指数系数B和所述线性幅度系数A带入任意所述指数表达式，其中，所述指数系数B根据电容差分量表达式确定，所述线性幅度系数A通过将所述指数系数B带入任意所述电容差分量表达式确定，所述电容差分量表达式通过对任意相邻两个所述采样点的所述指数表达式进行差分运算确定。