[发明专利]一种脉冲触发深能级瞬态谱的测试系统及方法

权利要求书

1.一种脉冲触发深能级瞬态谱的测试系统，其特征在于，包括双极脉冲触发电路（1）、同步电路（2）、电容检测电路（3）以及数据处理电路（4），其中，

所述双极脉冲触发电路（1）分别电连接至所述同步电路（2）、所述电容检测电路（3）和被测半导体（5），用于施加周期触发信号，其中，所述双极脉冲触发电路（1）包括脉冲注入电源 （Ei）和多个开关器件，多个所述开关器件用于切换所述脉冲注入电源 （Ei）的方向以形成所述周期触发信号；

所述同步电路（2）电连接至所述电容检测电路（3）和所述双极脉冲触发电路（1），用于同步控制所述电容检测电路（3）和所述双极脉冲触发电路（1）；

所述电容检测电路（3）分别电连接至所述数据处理电路（4）、所述被测半导体（5），用于将所述电容检测电路（3）检测到的所述被测半导体（5）的电容变化数据传输至所述数据处理电路（4）进行处理；

多个所述开关器件包括第一开关器件（S1）、第二开关器件（S2）、第三开关器件（S3）和第四开关器件（S4），其中：

所述第一开关器件（S1）的第一侧电连接至所述脉冲注入电源（Ei）的正极，所述第一开关器件（S1）的第二侧通过第一电阻（R1）电连接至所述被测半导体（5）的第一端，所述被测半导体（5）的第一端接地；

所述第二开关器件（S2）的第一侧电连接至所述脉冲注入电源（Ei）的正极，所述第二开关器件（S2）的第二侧通过第二电阻（R2）电连接至所述被测半导体（5）的第二端；

所述第三开关器件（S3）的第一侧电连接至所述脉冲注入电源（Ei）的负极，所述第三开关器件（S3）的第二侧通过第三电阻（R3）电连接至所述被测半导体（5）的所述第一端；

所述第四开关器件（S4）的第一侧电连接至所述脉冲注入电源 （Ei）的负极，所述第四开关器件（S4）的第二侧通过第四电阻（R4）电连接至所述被测半导体（5）的所述第二端。

2.如权利要求1所述的脉冲触发深能级瞬态谱的测试系统，其特征在于，所述双极脉冲触发电路（1）还包括第五电阻（R5）、偏置电压电源 （Eo）、第一二极管（D1）和第二二极管（D2），其中，所述偏置电压电源（Eo）的正极分别电连接至所述第二二极管（D2）的正极和所述第五电阻（R5）的第一端，所述偏置电压电源（Eo）的负极接地，所述第二二极管（D2）的负极电连接至所述第四开关器件（S4）的第二侧，所述第一二极管（D1）的正极电连接至所述偏置电压电源（Eo）的正极，所述第一二极管（D1）的负极电连接至所述第二开关器件（S2）的第二侧，所述第五电阻（R5）的第二端电连接至所述被测半导体（5）的第二端。

3.如权利要求1所述的脉冲触发深能级瞬态谱的测试系统，其特征在于，所述电容检测电路（3）包括电容检测器（31）和电容同步检测器（32），其中：

所述电容检测器（31）电连接至所述被测半导体（5），用于实时检测所述被测半导体（5）两端的瞬态电容值；

所述电容同步检测器（32）分别电连接至所述电容检测器（31）和所述同步电路（2），用于根据所述同步电路（2）输出的同步信号边沿触发采集所述瞬态电容值，输出电容变化数据，所述电容变化数据包括正向电容变化数据和负向电容变化数据。

4.如权利要求3所述的脉冲触发深能级瞬态谱的测试系统，其特征在于，所述数据处理电路（4）用于对所述电容检测电路（3）输出的所述电容变化数据进行数据处理，形成双极脉冲深能级瞬态谱，所述双极脉冲深能级瞬态谱包括正向深能级瞬态谱和负向深能级瞬态谱。

5.一种脉冲触发深能级瞬态谱的测试方法，其特征在于，基于如权利要求1至4任一项所述的脉冲触发深能级瞬态谱的测试系统，包括：

向被测半导体（5）施加周期触发信号，所述周期触发信号通过控制所述脉冲触发深能级瞬态谱的测试系统中的多个开关器件的开闭形成；

获取所述被测半导体（5）在所述周期触发信号下的电容变化数据，所述电容变化数据通过所述脉冲触发深能级瞬态谱的测试系统中的电容检测电路（3）检测输出；

对所述电容变化数据进行数据分析，确定双极脉冲深能级瞬态谱，所述双极脉冲深能级瞬态谱包括正向深能级瞬态谱和负向深能级瞬态谱。