[发明专利]用于半导体封装的低气泡产生率的焊锡装置及方法

权利要求书

1.一种用于半导体封装的低气泡产生率的焊锡装置，用于将焊接元件与基板间锡焊连接，其特征在于，包括分别位于基板两侧的第一加热部和第二加热部，所述装置在进行锡膏融化时能实现分阶段加热，在第一加热阶段，所述第二加热部的加热温度小于锡膏的融化温度，所述第一加热部的加热温度不小于锡膏的融化温度，在第二加热阶段，所述第一加热部和所述第二加热部的加热温度均超过锡膏的融化温度。

2.根据权利要求1所述的用于半导体封装的低气泡产生率的焊锡装置，其特征在于，所述第一加热部和所述第二加热部二者中的至少一个通过热风进行加热，热风能朝向位于基板上的锡膏吹出。

3.根据权利要求2所述的用于半导体封装的低气泡产生率的焊锡装置，其特征在于，所述第一加热部为加热板，所述第二加热部为热风加热部，所述第二加热部位于基板的设置有待融化的锡膏的一侧。

4.根据权利要求3所述的用于半导体封装的低气泡产生率的焊锡装置，其特征在于，所述热风加热部包括朝向锡膏设置的若干热风喷嘴、与所述热风喷嘴连接的风室、和与所述风室连接的高温风机，在所述风室内设置有至少一个加热器。

5.根据权利要求4所述的用于半导体封装的低气泡产生率的焊锡装置，其特征在于，还包括能对热风加热部的热风进行降温的冷却部。

6.根据权利要求4所述的用于半导体封装的低气泡产生率的焊锡装置，其特征在于，所述冷却部包括与所述风室连通的冷风通道以及与所述冷风通道连接的冷却风机，在所述冷风通道内设置有用于降温的热交换器。

7.根据权利要求4所述的用于半导体封装的低气泡产生率的焊锡装置，其特征在于，环绕每个所述热风喷嘴还设置有至少一个回风孔，还包括与所述回风孔相连通的负压管道。

8.一种可减少半导体封装过程的焊锡气泡的方法，其特征在于，分别在基板的两侧设置第一加热部和第二加热部，对锡膏进行加热融化过程至少包括第一加热阶段和第二加热阶段，所述第一加热部在第一加热阶段的加热温度不小于锡膏的融化温度，第二加热部在第一加热阶段的加热温度不超过锡膏的融化温度，所述第一加热部和所述第二加热部在第二加热阶段的加热温度均超过锡膏的融化温度。

9.根据权利要求8所述的可减少半导体封装过程的焊锡气泡的方法，其特征在于，所述第一加热部为加热板，所述第二加热部通过热风对锡膏进行加热。

10.根据权利要求9所述的可减少半导体封装过程的焊锡气泡的方法，其特征在于，所述第二加热部的加热温度不超过所述第一加热部的加热温度。