[发明专利]一种芳胺化合物的合成方法及反应系统

权利要求书

1.一种芳胺离子化合物的合成方法，其特征在于，其包括如下步骤：在连续流动反应器中，将水、离子化合物A与氮源Y进行亲核取代反应，得到芳胺离子化合物；所述的亲核取代反应的反应温度为100～300℃；

所述的离子化合物A的阴离子如式I所示

所述的芳胺离子化合物中的阴离子如式II所示

X为羟基或卤素；

m为0、1、2、3或4；

R独立地为C₁～C₁₀的烷基、羟基、氰基、卤素、硝基、乙酰基或羧基；

R¹和R²独立地为氢、甲基或乙基；

所述的离子化合物A中阳离子为无机阳离子；

当R¹和R²为氢时，所述的氮源Y为铵源和/或NH₃；当R¹和R²不同时为氢时，所述的氮源Y为

2.根据权利要求1所述的芳胺离子化合物的合成方法，其特征在于，所述的铵源选自氨水、NH₄Cl、NH₄Ac和(NH₄)₂SO₄中的一种或多种，例如氨水和/或NH₄Cl，还例如氨水和NH₄Cl；

和/或，所述的亲核取代反应的反应压力为900～1200psi，例如950～1050psi或900～1000psi；

和/或，所述的为二甲胺、二乙胺、N-甲基乙胺或NH₃，例如NH₃；

和/或，所述的离子化合物A与水的质量体积比为1：(1～30)g/mL，例如1：(1～15)g/mL，还例如1：(5～10)g/mL；

和/或，所述的离子化合物A与所述的氮源Y的摩尔比为1：(3～33)，例如1：(3～18)，又例如1：6.68或1：16.3；

和/或，所述的亲核取代反应的反应温度为200～300℃，例如220～285℃，又例如220～230℃或275～285℃；

和/或，所述的亲核取代反应在连续流动反应器中的反应时间为50～90min，例如60min或61min；

和/或，所述的亲核取代反应的反应液在连续流动反应器中的流量为0.3～1.0mL/min，又例如0.5～0.8mL/min，再例如0.70mL/min或0.65mL/min；

和/或，所述的离子化合物A中阳离子为NH₄⁺、碱金属阳离子或碱土金属阳离子，还例如NH₄⁺或碱金属阳离子；较佳地，当所述的离子化合物A中阳离子为碱金属阳离子时，所述的碱金属阳离子为Na⁺、K⁺或Li⁺；或，当所述的离子化合物A中阳离子为碱土金属阳离子时，所述的碱土金属阳离子为Mg²⁺或Ca²⁺；

和/或，所述的芳胺离子化合物中阳离子与所述的离子化合物A中阳离子相同；

和/或，当所述的R为C₁～C₁₀的烷基时，所述C₁～C₁₀的烷基为C₁～C₄烷基，例如甲基、乙基、正丙基、异丁基、正丁基、异丁基或叔丁基，再例如甲基；

和/或，当R为卤素时，所述的卤素为氟、氯、溴或碘，例如溴和/或氟；

和/或，当X为卤素时，所述的卤素为氟、氯、溴或碘，例如氟；

和/或，所述的m为1或2；

和/或，所述的X位于羧酸根的邻位或间位；较佳地，当X为羟基时，X位于羧酸根的间位，或当X为卤素时，X位于羧酸根的邻位；

和/或，所述的R独立地位于羧酸根的间位和对位；较佳地，当R为羟基时，R位于羧酸根的间位，或当R为卤素时，R位于羧酸根的间位或对位；

和/或，所述的R¹和R²为氢；

和/或，所述的连续流动反应器的管道内径为1/8英寸；

和/或，所述的连续流动反应器的管道壁厚为0.028毫米；

和/或，所述的连续流动反应器的管道长为16.4米；

和/或，所述的连续流动反应器的管道的材料为哈氏材质；

和/或，所述的连续流动反应器用HC276接头连接哈氏管道；

和/或，所述的亲核取代反应的后处理为下述步骤：(a)将反应液与水、氢氧化钠水溶液混合，加热，浓缩，得处理液；(b)将步骤(a)的处理液与盐酸混合，析晶，过滤，得滤饼；(c)将滤饼用水打浆，过滤即可。