[发明专利]半导体模块装置以及用于操作半导体模块装置的方法在审

专利信息
申请号: 202010736763.8 申请日: 2020-07-28
公开(公告)号: CN112332635A 公开(公告)日: 2021-02-05
发明(设计)人: 米夏埃尔·施吕特 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H02M1/00 分类号: H02M1/00;H02M7/5387;H01L25/16
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 康建峰;杜诚
地址: 德国瑙伊*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 模块 装置 以及 用于 操作 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体模块装置,包括:

输入级(21),其包括第一输出端子(OUT11)和第二输出端子(OUT12),其中第一电感元件(L1)耦接至所述第一输出端子(OUT11);

输出级(22),其包括至少一个可控半导体元件(T2,T3)、耦接至所述第一电感元件(L1)的第三输入端子(IN21)、耦接至所述第二输出端子(OUT12)的第四输入端子(IN22)、第三输出端子(OUT21)以及第四输出端子(OUT22),所述第一电感元件(L1)耦接在所述第一输出端子(OUT11)与所述第三输入端子(IN21)之间;

第一可控半导体元件(T1)和第一电容元件(Cs),所述第一可控半导体元件(T1)和第一电容元件(Cs)串联耦接并且在所述第一电感元件(L1)与所述第三输入端子(IN21)之间的公共节点和所述第二输出端子(OUT12)与所述第四输入端子(IN22)之间的公共节点之间;以及

并联耦接至所述第一可控半导体元件(T1)的第一二极管元件(D1),其中,所述第一二极管元件(D1)的阴极端子(C1)耦接至所述第一电容元件(Cs),并且所述第一二极管元件(D1)的阳极端子(A1)耦接至所述第一电感元件(L1)与所述第三输入端子(IN21)之间的公共节点。

2.根据权利要求1所述的半导体模块装置,其中,所述输出级(22)包括至少两个可控半导体元件(T2,T3),以至少一个半桥构造来布置所述可控半导体元件(T2,T3)。

3.根据权利要求1或2所述的半导体模块装置,其中,

所述第一电感元件(L1)和所述第一电容元件(Cs)形成振荡电路;

在所述振荡电路中发生的振荡具有一定的周期持续时间;

需要第一切换时间以将所述输出级(22)的所述至少一个可控半导体元件(T2,T3)中的可控半导体元件(T2,T3)从导电状态切换至非导电状态;并且

所述第一周期持续时间大于所述第一切换时间。

4.根据权利要求3所述的半导体模块装置,其中,所述第一周期持续时间在所述第一切换时间的大约10倍与大约50倍之间。

5.根据前述权利要求中任一项所述的半导体模块装置,其中,所述输出级(22)被配置成将在其输入端子(IN21,IN22)处提供的DC电压转换为在其输出端子(OUT21,OUT22)处提供的另一DC电压。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体模块装置,其中,所述输出级(22)被配置成将在其输入端子(IN21,IN22)处提供的DC电压转换为在其输出端子(OUT21,OUT22)处提供的AC电压。

7.根据前述权利要求中任一项所述的半导体模块装置,还包括:耦接在所述输入级(21)的所述第一输出端子(OUT11)与所述第二输出端子(OUT12)之间的DC链接电容器(CDC_link)。

8.根据前述权利要求中任一项所述的半导体模块装置,其中,每个所述可控半导体元件(T1,T2,T3)包括IGBT、MOSFET、JFET或HEMT中的至少一个。

9.一种用于操作根据权利要求1至8中任一项所述的半导体模块装置的方法,所述方法包括:

导通所述输出级(22)的所述至少一个可控半导体元件中的至少一个可控半导体元件(T2),其中,所述第一电感元件(L1)在所述至少一个可控半导体元件(T2)的导通操作期间被充电,并且其中,一旦完成所述导通操作,在所述导通操作期间存储在所述第一电感元件(L1)中的能量经由所述第一二极管元件(D1)转向至所述第一电容元件(Cs);以及

关断所述输出级(22)的所述至少一个可控半导体元件中的至少一个可控半导体元件(T2)。

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