[发明专利]电流源

权利要求书

1.一种电流源，其特征在于，包括带隙基准电路、一阶补偿电路、二阶补偿电路和输出电路；

所述一阶补偿电路、所述二阶补偿电路分别与所述带隙基准电路相连接；

所述输出电路分别与所述带隙基准电路和所述二阶补偿电路相连接；

所述带隙基准电路用于产生第一电流；

所述一阶补偿电路用于产生具有正温度系数的第二电流，以及利用所述第二电流补偿所述第一电流，得到第三电流；

所述输出电路用于产生与所述第三电流相等的第四电流；

所述二阶补偿电路用于产生具有负温度系数的第五电流；

所述输出电路还用于将所述第四电流和所述第五电流进行汇合以得到稳定电流并输出。

2.根据权利要求1所述的电流源，其特征在于，所述带隙基准电路包括运算放大器、电流镜、第一三极管、第二三极管、第一电阻、第二电阻和第三电阻，所述电流镜包括第一晶体管和第二晶体管；所述第一晶体管的第一引脚以及所述第二晶体管的第一引脚分别与电源电压相连接；所述运算放大器的反相输入端、所述第一三极管的发射极、所述第二电阻的一端分别与所述第一晶体管的第三引脚相连接；所述第一晶体管的第二引脚和所述第二晶体管的第二引脚分别与所述运算放大器的输出端相连接；所述第一电阻的一端、所述第三电阻的一端分别与所述运算放大器的正相输入端相连接；所述第一电阻的另一端与所述第二三极管的发射极相连接；所述第二三极管的集电极和基极、所述第三电阻的另一端、所述第二电阻的另一端以及所述第一三极管的集电极和基极分别接地。

3.根据权利要求2所述的电流源，其特征在于，所述一阶补偿电路包括第三晶体管、第四电阻、第五电阻、第四晶体管和第五晶体管；所述第五电阻的一端与所述电源电压相连接，另一端与所述第三晶体管的第一引脚相连接；所述第三晶体管的第三引脚与所述第四电阻的一端相连接，所述第三晶体管的第二引脚与所述运算放大器的输出端相连接，所述第三晶体管的第三引脚与所述第四电阻的一端相连接；所述第四电阻的另一端接地；所述第四晶体管的第二引脚和所述第五晶体管的第二引脚均与所述第三晶体管的第三引脚相连接；所述第四晶体管的第三引脚和所述第五晶体管的第三引脚分别与所述第二晶体管的第三引脚和所述第一晶体管的第三引脚相连接；所述第二晶体管的第一引脚和所述第三晶体管的第一引脚均接地。

4.根据权利要求3所述的电流源，其特征在于，所述二阶补偿电路包括第六晶体管、第七晶体管、第六电阻和第七电阻；所述第六晶体管的第一引脚与所述电源电压相连接；所述第六电阻的一端连接所述电源电压，另一端分别连接所述第六晶体管的第二引脚和所述第七晶体管的第一引脚；所述第七晶体管的第二引脚连接所述运算放大器的输出端，所述第七晶体管的第三引脚连接所述第七电阻的一端；所述第七电阻的另一端接地。

5.根据权利要求4所述的电流源，其特征在于，所述输出电路包括第八晶体管，所述第八晶体管的第一引脚连接所述电源电压，所述第八晶体管的第二引脚连接所述运算放大器的输出端，所述第八晶体管的第三引脚连接所述第六晶体管的第三引脚。

6.根据权利要求2所述的电流源，其特征在于，所述带隙基准电路中的任一晶体管为PMOS管或PNP型三极管，所述带隙基准电路中的任一晶体管的第一引脚为PMOS管的漏极或PNP型三极管的集电极，所述带隙基准电路中的任一晶体管的第二引脚为PMOS管的栅极或PNP型三极管的基极，所述带隙基准电路中的任一晶体管的第三引脚为PMOS管的源极或PNP型三极管的发射极。