[发明专利]一种显示基板的制作方法、显示基板和显示装置

权利要求书

1.一种显示基板的制作方法，其特征在于，所述显示基板包括感光晶体管、氧化物晶体管和多晶硅晶体管，所述显示基板的制作方法包括以下步骤：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上通过一次构图工艺制作感光晶体管的栅极层、氧化物晶体管的栅极层和多晶硅晶体管的栅极层；

制作绝缘层，所述绝缘层覆盖所述感光晶体管的栅极层、氧化物晶体管的栅极层和多晶硅晶体管的栅极层；

在所述绝缘层上通过一次构图工艺制作感光晶体管的半导体层和氧化物晶体管的半导体层；

在所述感光晶体管的半导体层和所述氧化物晶体管的半导体层上制作发光单元。

2.如权利要求1所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述制作绝缘层之后，还包括：

对所述绝缘层进行掺杂，以使所述感光晶体管成为耗尽型晶体管。

3.如权利要求1所述的显示基板的制作方法，其特征在于，

所述在所述绝缘层上通过一次构图工艺制作感光晶体管的半导体层和氧化物晶体管的半导体层之后，还包括：

制作遮光层，所述遮光层在所述衬底基板上的正投影与所述氧化物晶体管的半导体层在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。

4.一种显示基板，其特征在于，包括衬底基板、位于所述衬底基板上的感光晶体管和驱动电路层、以及位于所述驱动电路层上的发光单元，所述驱动电路层包括氧化物晶体管和多晶硅晶体管，所述感光晶体管的栅极层与所述多晶硅晶体管的栅极层、氧化物晶体管的栅极层同层同材料设置，所述感光晶体管的半导体层和所述氧化物晶体管的半导体层同材料设置；其中，绝缘层覆盖所述感光晶体管的栅极层、氧化物晶体管的栅极层和多晶硅晶体管的栅极层。

5.如权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述感光晶体管为耗尽型晶体管。

6.如权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括存储电容，所述存储电容包括第一极板和第二极板，所述第一极板与所述多晶硅晶体管的栅极层同层同材料设置。

7.如权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述氧化物晶体管的栅极层位于所述氧化物晶体管的半导体层和所述衬底基板之间。

8.如权利要求7所述的显示基板，其特征在于，还包括位于所述氧化物晶体管远离所述衬底基板一侧的遮光层，所述遮光层在所述衬底基板上的正投影与所述氧化物晶体管的半导体层在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。

9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求4至8中任一项所述的显示基板。