[发明专利]图案化材料层的方法

说明书

本发明实施例提供一种图案化材料层的方法，方法包含以下步骤。第一材料层形成于衬底上方，且第一材料层包含第一金属化合物。经由第一光掩模来用γ射线曝光第一材料层的部分，其中将第一材料层的部分中的第一金属化合物的第一金属离子化学还原为第一金属粒子。将第一材料层的其它部分去除以形成包含第一金属粒子的多个第一硬掩模图案。

技术领域

本发明实施例涉及一种图案化材料层的方法。

背景技术

随着IC技术朝着如32纳米、28纳米、20纳米或小于20纳米的较小特征大小继续发展，集成电路(integrated circuit；IC)设计变得更具有挑战性。较小特征大小需要不断缩小的间距(即，IC特征之间的中心到中心距离)和临界尺寸(即，用于IC特征的最小可实现尺寸)。尽管现有的光刻工艺对于其预期目的已大体上足够，但所述工艺在所有方面并不令人完全满意。

发明内容

本发明实施例的一种图案化材料层的方法包含以下步骤。第一材料层形成于衬底上方，且第一材料层包含第一金属化合物。经由第一光掩模来用γ射线曝光第一材料层的部分，其中将第一材料层的部分中的第一金属化合物的第一金属离子化学还原为第一金属粒子。将第一材料层的其它部分去除以形成分别包含第一金属粒子的多个第一硬掩模图案。

本发明实施例的一种图案化材料层的方法包含以下步骤。包含金属盐的材料层形成于衬底上方。将材料层的部分化学还原以形成多个金属图案。去除材料层的未还原部分。金属层分别形成于金属图案的暴露表面上，以形成包括金属图案和金属层的多个硬掩模图案。

本发明实施例的一种图案化材料层的方法包含以下步骤。材料层形成于一层上方，且材料层包含金属盐。通过用γ射线曝光来将材料层的部分化学还原以形成多个金属图案。去除材料层的未还原部分，以形成硬掩模层。通过使用包含金属图案的硬掩模层作为掩模来去除层的部分。去除硬掩模层。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述最好地理解本公开的各方面。应注意，根据业界中的标准惯例，各种特征未按比例绘制。实际上，为了论述清楚起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1是根据一些实施例的图案化方法的流程图。

图2A到图2E是根据一些实施例的图案化方法的示意性横截面图。

图3A到图3C是根据一些实施例的图案化方法的示意性横截面图。

图4A到图4E是根据一些实施例的图案化方法的示意性横截面图。

图5A到图5C是根据一些实施例的图案化方法的示意性横截面图。

具体实施方式

以下公开内容提供用于实施所提供主题的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件和布置的特定实例以简化本公开。当然，这些组件和布置只是实例且并不意欲为限制性的。举例来说，在以下描述中，第一特征在第二特征上方或上的形成可包含第一特征和第二特征直接接触地形成的实施例，且还可包含额外特征可在第一特征与第二特征之间形成使得第一特征和第二特征可不直接接触的实施例。另外，本公开可在各种实例中重复参考标号和/或字母。这种重复是出于简化和清楚的目的且本身并不规定所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。

另外，为易于描述，可在本文中使用如“在…下方”、“在…之下”、“下部”、“在…之上”、“上部”以及类似术语的空间相对术语，以描述如图中所说明的一个元件或特征相对于另一(一些)元件或特征的关系。除图中所描绘的定向以外，空间相关术语意欲涵盖器件在使用或操作中的不同定向。装置可以其它方式定向(旋转90度或处于其它定向)，且本文中所使用的空间相对描述词可同样相应地进行解释。