[发明专利]一种应用于半导体领域的石英罩离子污染的检测工艺在审
| 申请号： | 202010737699.5 | 申请日： | 2020-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN112255362A | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 郝齐齐;张正伟 | 申请（专利权）人： | 安徽富乐德科技发展股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N30/96 | 分类号： | G01N30/96 |
| 代理公司： | 铜陵市天成专利事务所(普通合伙) 34105 | 代理人： | 李坤 |
| 地址： | 244000 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 半导体 领域 石英 离子 污染 检测 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种应用于半导体领域的石英罩离子污染的检测工艺，其特征在于，检测工艺步骤如下：
S1，将石英罩清洗作业，烘干；
S2,清洗完成，净空房石英罩内灌装纯水静置；
S3,置放2-4小时后取样；
S4,离子色谱仪检测样品中阴离子含量，阴离子为F-和NO3-；
S5检测完后记录结果，将零件清洗、烘干、包装。
2.根据权利要求1所述的，其特征是：所述步骤S1中，清洗液为硝氟酸,清洗后用纯水浸泡，高压水洗，超声波清洗清洗残酸，其中纯水水源至少18MΩ。
3.根据权利要求1所述的，其特征是：所述步骤S3中净空房内取样，所用取样吸管和取样瓶均需用纯水润洗，水源至少18MΩ。
4.根据权利要求1所述的，其特征是：所述步骤S4中，离子色谱仪进样前需稀释样品，加过滤，离子色谱仪F-检出限0.27μg/L，NO3-检出限0.20μg/L。
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